上釉的烧结温度是A．低于体瓷温度5℃B．低于体瓷温度10℃C．低于体瓷温度20℃D．高于体瓷温度5℃E．高于体瓷温度10℃
题目
上釉的烧结温度是
A．低于体瓷温度5℃
B．低于体瓷温度10℃
C．低于体瓷温度20℃
D．高于体瓷温度5℃
E．高于体瓷温度10℃
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第1题：
金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是
A.低于体瓷烧结温度6～8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
参考答案：E
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第2题：
PFM冠上釉时的炉温是
A、与体瓷的烧结温度相同
B、低于体瓷烧结温度6～8℃
C、低于体瓷烧结温度10～20℃
D、高于体瓷烧结温度6～8℃
E、高于体瓷烧结温度10～20℃
参考答案：B
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第3题：
除气、氧化的方法是
A.低于体瓷烧结温度6～8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
参考答案：D
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第4题：
除气、氧化的目的是
A.低于体瓷烧结温度6～8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
参考答案：D
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第5题：
在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是
A．31～40℃
B．21～30℃
C．10℃以内
D．11～20℃
E．5℃
正确答案：C