关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是（）A．突触后膜对Ca2+，K+通透性增大B．突触后膜去极化C．突触后膜出现超极化D．突触后膜出现复极化

题目

关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是（）

A．突触后膜对Ca2+，K+通透性增大

B．突触后膜去极化

C．突触后膜出现超极化

D．突触后膜出现复极化

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1.下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是A．是局部去极化电位 B具有“全或无”性质C.是局部超极化电位 D．由突触前膜递质释放量减少所致E.由突触后膜对钠通透性增加所致

2.关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是()。A.突触后膜对Ca2+K+通透性增大B.突触后膜去极化C.突触后膜出现超极化D.突触后膜出现复极化E.以上都不是

3.下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是A、是局部去极化电位B、具有"全或无"性质C、是局部超极化电位D、由突触前膜递质释放量减少所致E、是局部去极化电位

4.请简要说明抑制性突触后电位是怎样产生的?

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  • 第1题：

    对于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是

    A．突触前轴突末梢超极化

    B．对Ca2+、K+通透性增大

    C．突触后膜出现超极化

    D．突触后膜去极化

    E．突触前膜去极化


    正确答案：C

  • 第2题：

    下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质SXB

    下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是

    A.是局部去极化电位

    B.具有"全或无"性质

    C.是局部超极化电位

    D.由突触前膜递质释放量减少所致

    E.由突触后膜对钠通透性增加所致


    正确答案：C

  • 第3题：

    关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（ ）。

    A.
    B.突触后膜去极化
    C.突触后膜出现超极化
    D.突触后膜出现复极化
    E.以上都不是


    答案：C
    解析：
    突触后膜在递质作用下发生超极化，使该突触后神经元的兴奋性下降，这种电位变化称为抑制性突触后电位。

  • 第4题：

    试述兴奋性与抑制性突触后电位的作用与产生原理。


    正确答案: 在刺激引起的反射发生过程中，中枢若产生兴奋过程则传出冲动增加；若发生抑制，则中枢原有的传出冲动减弱或停止。中枢部分的兴奋传播是通过兴奋性突触后电位实现的；而抑制性突触后电位的产生，则可带来中枢抑制。兴奋性突触后电位的产生过程如下：神经轴突的兴奋冲动可使神经末梢突触前膜兴奋并释放兴奋性递质，后者经突触间隙扩散并作用于突触后膜与特殊受体相结合，由此提高后膜对Na+、K+、Cl-，尤其是Na+的通透性，因Na+进入较多而膜电位降低，出现局部的去极化，这种短暂的局部去极化可呈现电紧张形式扩布，称兴奋性突触后电位（EPSP）。它通过总和作用可使膜电位绝对值降低至阈电位，从而在轴突始段产生扩布性动作电位，沿神经纤维传导，表现为突触后神经元兴奋。抑制性突触后电位产生过程如下：抑制性神经元兴奋，神经末梢释放抑制性递质，后者经过扩散与突触后膜受体结合，从而使后膜对K+、Cl-，尤其是Cl-的通透性提高；膜电位绝对值增大而出现超极化，即抑制性突触后电位。

  • 第5题：

    下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是

    • A、是局部除极化电位
    • B、具有"全或无"性质
    • C、是局部超极化电位
    • D、由突触前膜递质释放量减少所致
    • E、由突触后膜对钠通透性增加所致

    正确答案:C

  • 第6题：

    单选题
    下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是（）
    A

    是局部去极化电位

    B

    具有全或无性质

    C

    是局部超极化电位

    D

    由突触前膜递质释放量减少所致

    E

    是局部去极化电位


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    单选题
    对于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（）
    A

    突触前轴突末梢超极化

    B

    对Ca2+、K+通透性增大

    C

    突触后膜出现超极化

    D

    突触后膜去极化

    E

    突触前膜去极化


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    单选题
    关于棘慢复合波的产生机制，正确的是（　　）。
    A

    棘波、慢波是由兴奋性突触后电位构成

    B

    棘波、慢波是由抑制性突触后电位构成

    C

    棘波是由抑制性突触后电位构成，慢波是由兴奋性突触后电位构成

    D

    棘波是由兴奋性突触后电位构成，慢波是由抑制性突触后电位构成

    E

    棘波、慢波是由突触前电位构成


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    产生抑制性突触后电位的主要离子基础是（ ）。


    正确答案：D

  • 第10题：

    A.K
    B.Na
    C.Ca
    D.Cl
    E.H

    可产生抑制性突触后电位的离子基础是

    答案：D
    解析：

    冲动传到突触前末梢，触发前膜中的Ca通道开放，一定量的Ca顺浓度差流入突触内，在Ca的作用下一定数量的突触泡将递质外排到突触间隙，此过程称胞吐。被释放的递质扩散到突触间隙，到达突触后膜，与位于后膜中的受体结合，故1题选C。抑制性突触后电位因为Cl通透性的增大导致突触后膜超极化而引起短路效应，使兴奋性突触后电位的去极化减少，而抑制了动作电位的发生。故2题选D。

  • 第11题：

    抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对（ ）的通透性增加所致。



    答案：D
    解析：

  • 第12题：

    关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（）。

    • A、突触前轴突末梢超极化
    • B、对Ca2+、K+通透性增大
    • C、突触后膜出现超极化
    • D、突触后膜去极化
    • E、突触后膜出现复极化

    正确答案:C

  • 第13题：

    对于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（）

    • A、突触前轴突末梢超极化
    • B、对Ca2+、K+通透性增大
    • C、突触后膜出现超极化
    • D、突触后膜去极化
    • E、突触前膜去极化

    正确答案:C

  • 第14题：

    多选题
    下列有关突触前抑制的叙述，正确的是：（）
    A

    引起突触前膜部分的预先去极化

    B

    引起突触前膜动作电位幅度减小

    C

    引起突触前膜释放递质减少

    D

    引起突触后膜产生EPSP（兴奋性突触后电位）幅度减小

    E

    引起突触后膜产生IPSP（抑制性突触后电位）幅度增大


    正确答案： B,E
    解析： 暂无解析

  • 第15题：

    单选题
    关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（）。
    A

    突触前轴突末梢超极化

    B

    对Ca2+、K+通透性增大

    C

    突触后膜出现超极化

    D

    突触后膜去极化

    E

    突触后膜出现复极化


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第16题：

    单选题
    可产生抑制性突触后电位的离子基础是（）
    A

    K+

    B

    H+

    C

    Ca2+

    D

    Cl-

    E

    Na+


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

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