抑制性突触后电位()A、是去极化局部电位B、具有全或无性质C、是超极化局部电位D、是突触前膜递质释放量减少所致E、是突触后膜Na+通透性增加所致

题目
抑制性突触后电位()

A、是去极化局部电位

B、具有全或无性质

C、是超极化局部电位

D、是突触前膜递质释放量减少所致

E、是突触后膜Na+通透性增加所致


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  • 第1题:

    产生抑制性突触后电位的主要离子基础是( )。


    正确答案:D

  • 第2题:

    A.K
    B.Na
    C.Ca
    D.Cl
    E.H

    可产生抑制性突触后电位的离子基础是

    答案:D
    解析:

    冲动传到突触前末梢,触发前膜中的Ca通道开放,一定量的Ca顺浓度差流入突触内,在Ca的作用下一定数量的突触泡将递质外排到突触间隙,此过程称胞吐。被释放的递质扩散到突触间隙,到达突触后膜,与位于后膜中的受体结合,故1题选C。抑制性突触后电位因为Cl通透性的增大导致突触后膜超极化而引起短路效应,使兴奋性突触后电位的去极化减少,而抑制了动作电位的发生。故2题选D。

  • 第3题:

    抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对( )的通透性增加所致。



    答案:D
    解析:

  • 第4题:

    产生抑制性突触后电位的主要离子流是( )


    正确答案:D
    考查考生对突触传递原理的理解。
    在突触传递过程中,当突触前神经元有冲动传到末梢时,突触前膜去极化,去极化达一定水平时,末梢膜上电压门控钙通道开放,细胞外Ca2+进入末梢轴浆内,由此触发突触囊泡的出胞,以量子式释放的形式,将囊泡内的递质倾囊释出,这一过程称为兴奋一分泌耦联,而其他离子流对轴突末梢释放神经递质均无关,故第3题的正确答案是C。K+外流、Na+内流和Cl-内流均与突触传递引起突触后电位的产生有关,而H+外流则与此无关;Na+内流可使突触膜去极化,引起兴奋性突触后电位;K+外流和Cl-内流均可使突触后膜超极化,引起抑制性突触后电位,但通常以Cl-内流为主。故第4题的正确答案是D。

  • 第5题:

    抑制性突触后电位发生的原因主要是:

    A.
    B.
    C.
    D.

    答案:A
    解析:

  • 第6题:

    抑制性突触后电位是由于突触后膜出现了去极化。()


    答案:错
    解析: