A、是去极化局部电位
B、具有全或无性质
C、是超极化局部电位
D、是突触前膜递质释放量减少所致
E、是突触后膜Na+通透性增加所致
1.请简要说明抑制性突触后电位是怎样产生的?
2.抑制性突触后电位是指突触后膜局部去极化。()此题为判断题(对,错)。
3.由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同,突触后电位的类型包括A、兴奋性突触后电位和局部电位B、抑制性突触后电位和局部电位C、兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D、兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E、兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位
4.膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位( )。
第1题:
产生抑制性突触后电位的主要离子基础是( )。
第2题:
第3题:
第4题:
产生抑制性突触后电位的主要离子流是( )
第5题:
第6题: