抑制性突触后电位的形成,是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致()A、Na+、K+、Cl-，尤其是K+B、Na+、K+、Cl-，尤其是Na+C、K+、Cl-，尤其是Cl-D、K+、Cl-，尤其是K+E、Ca2+、K+、Cl-，尤其是Ca2+
题目
抑制性突触后电位的形成,是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致()
A、Na+、K+、Cl-，尤其是K+
B、Na+、K+、Cl-，尤其是Na+
C、K+、Cl-，尤其是Cl-
D、K+、Cl-，尤其是K+
E、Ca2+、K+、Cl-，尤其是Ca2+
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参考答案和解析
参考答案：C
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第1题：
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致A.Ca
、K
、Cl
，尤其是Ca
B.Na
、Cl
、K
，尤其是K
C.K
、Ca
、Na
，尤其是Ca
D.K
、Cl
，尤其是Cl
E.Na
、K
，尤其是Na
答案：D解析： -
第2题：
A.Na
B.Cl
C.Mg
D.Ca
E.K
突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位答案：B解析： -
第3题：
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种的离子通透性增加所致（）
A．Na+、Cl-、K+，尤其是K+
B．Ca2+、K+、Cl-，尤其是Ca2+
C．Na+、K+，尤其是Na+
D．Cl-，尤其是Cl-
Cl-内流 -
第4题：
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对（ ）的通透性增加所致。
答案：D解析： -
第5题：
突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位A.Ca2+
B.Cl-
C.Na+
D.K+
E.Mg2+答案：B解析：