突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位A.Ca2+B.ClC.Na+D.K+E.Mg2+

题目

突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位

A.Ca2+

B.Cl

C.Na+

D.K+

E.Mg2+

相似考题

1.膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位()A、K+B、Na+C、Ca2+D、Cl-E、H+

2.抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对（ ）的通透性增加所致。

3.A.Na B.Cl C.Mg D.Ca E.K突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位

4.膜对哪种离子的通透性升高时，可产生抑制性突触后电位（ ）。

更多“突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位A.Ca2＋B.ClC.Na＋D.K＋E.Mg2＋ ”相关问题

  • 第1题：

    突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位

    A.Ca2+
    B.Cl-
    C.Na+
    D.K+
    E.Mg2+


    答案：B
    解析：

  • 第2题：

    抑制性突触后电位是由于突触后膜对哪种离子的通透性增高而产生？

    A．Ca2+；

    B．Na+；

    C．K+；

    D．Cl-和K+。


    超极化

  • 第3题：

    抑制性突触后电位是由于突触后膜对哪种离子的通透性增高而产生

    A．Ca2+

    B．Na+

    C．K+

    D．Cl-和K+


    B

  • 第4题：

    抑制性突触后电位（IPSP）的产生是后膜对哪种离子通透性增加

    A．Na+

    B．K+

    C．Ca2+

    D．Cl-


    Cl-

  • 第5题：

    关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是

    A．突触后膜对钙离子和钾离子的通透性增大

    B．突触后膜去极化

    C．突触后膜出现超极化

    D．突触后膜出现复极化


    C

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