P-MOSFET存在二次击穿现象。()

题目

P-MOSFET存在二次击穿现象。()

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1.GTR存在二次击穿现象。()

2.由于电力二极管中存在(),使其正向导通通过大电流时,能保持较低的电压降。A、擎住效应B、二次击穿C、雪崩击穿D、电导调制效应

3.带电作业绝缘工具电气预防性试验中，操作冲击试验以（ ）为合格（采用250/2500μs的标准波）。 A.无二次击穿、闪络 B. 无二次击穿 C. 无一次击穿、闪络 D. 无一次击穿

4.什么是GTR的二次击穿现象以及二次击穿的危害。

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  • 第1题：

    带电作业绝缘工具电气预防性试验中，操作冲击试验以（）为合格（采用250/2500ms的标准波）。

    A.无二次击穿、闪络
    B.无二次击穿
    C.无一次击穿、闪络
    D.无一次击穿

    答案：C
    解析：

  • 第2题：

    电力场效应管MOSFET不存在二次击穿的问题。（）


    B

  • 第3题：

    31、功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）

    A．一次击穿

    B．二次击穿

    C．临界饱和

    D．反向截止


    B

  • 第4题：

    运行中的电流互感器二次开路后可能出现（）的危险现象。

    A一次电压指示升高

    B二次电流指示为零

    C噪声增大

    D绝缘击穿


    B,C,D
    略

  • 第5题：

    晶闸管反向电压逐步增大将会引起晶闸管反向击穿，该反向击穿现象称为雪崩击穿。


    正确

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