GTR存在二次击穿现象。()

题目

GTR存在二次击穿现象。()

相似考题

1.P-MOSFET存在二次击穿现象。()

2.由于电力二极管中存在(),使其正向导通通过大电流时,能保持较低的电压降。A、擎住效应B、二次击穿C、雪崩击穿D、电导调制效应

3.带电作业绝缘工具电气预防性试验中，操作冲击试验以（ ）为合格（采用250/2500μs的标准波）。 A.无二次击穿、闪络 B. 无二次击穿 C. 无一次击穿、闪络 D. 无一次击穿

4.什么是GTR的二次击穿现象以及二次击穿的危害。

更多“GTR存在二次击穿现象。() ”相关问题

  • 第1题：

    运行中的电流互感器二次开路后可能出现（）的危险现象。

    A一次电压指示升高

    B二次电流指示为零

    C噪声增大

    D绝缘击穿


    B,C,D
    略

  • 第2题：

    31、功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）

    A．一次击穿

    B．二次击穿

    C．临界饱和

    D．反向截止


    B

  • 第3题：

    GTR的安全工作区是由 围成的区域

    A．最高工作电压

    B．集电极最大允许电流

    C．集电极最大耗散功率

    D．二次击穿功率


    最高电压UceM;集电极最大电流IcM;最大耗散功率PcM;二次击穿临界线

  • 第4题：

    电力场效应管MOSFET不存在二次击穿的问题。（）


    B

  • 第5题：

    3、电力晶体管（GTR）的安全工作区由（）线限定.

    A．最高电压UceM

    B．集电极最大电流IcM

    C．最大耗散功率PcM

    D．二次击穿临界线


    最高电压 U ceM;集电极最大电流 I cM;最大耗散功率 P cM;二次击穿临界线

相关内容