抑制性突触后电位（）A、是“全或无”式的B、有总和现象C、幅度较兴奋性突触后电位大D、是突触后膜对Cl-的通透性减少的结果E、是突触后膜对Cl-的通透性增加的结果

题目

抑制性突触后电位（）

  • A、是“全或无”式的
  • B、有总和现象
  • C、幅度较兴奋性突触后电位大
  • D、是突触后膜对Cl-的通透性减少的结果
  • E、是突触后膜对Cl-的通透性增加的结果
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1.请简要说明抑制性突触后电位是怎样产生的?

2.由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同，突触后电位的类型包括A、兴奋性突触后电位和局部电位B、抑制性突触后电位和局部电位C、兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D、兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E、兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位

3.产生抑制性突触后电位的主要离子基础是（ ）。

4.膜对哪种离子的通透性升高时，可产生抑制性突触后电位（ ）。

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  • 第1题：

    抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对（ ）的通透性增加所致。



    答案：D
    解析：

  • 第2题：

    试述兴奋性突触后后电位和抑制性突触后电位的特征。


    正确答案: 兴奋性突触后电位是指兴奋从突触前传到突触后，引起突触后膜的去极化，并扩散到整个神经元细胞的电紧张电位。兴奋性突触后电位区别于动作电位的重要特征：其通道是配基门控，而动作电位是电压门控；兴奋性突触后电位的电位大小是一种分级电位，它具有空间总和和时间总和的作用而没有“全或无”的特征。
    抑制性突触后电位传递过程和兴奋性突触后电位相似，不同的是兴奋从突触前传到突触后，引起突触后膜的超极化，使得突触后的神经元更难引发动作电位。与兴奋性突触后电位主要是Na离子的流入不同，抑制性突触后电位主要是Cl离子的流入所引起的，其电位大小不但和刺激强度有关，还和突触后神经元的膜电位有关。

  • 第3题：

    抑制性突触后电位是由于突触后膜出现了去极化。


    正确答案:错误

  • 第4题：

    抑制性突触后电位（IPSP）


    正确答案:突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部超极化电位变化称为抑制性突触后电位。

  • 第5题：

    单选题
    由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同，突触后电位的类型包括（）
    A

    兴奋性突触后电位和局部电位

    B

    抑制性突触后电位和局部电位

    C

    兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位

    D

    兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位

    E

    兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第6题：

    单选题
    关于棘慢复合波的产生机制，正确的是（　　）。
    A

    棘波、慢波是由兴奋性突触后电位构成

    B

    棘波、慢波是由抑制性突触后电位构成

    C

    棘波是由抑制性突触后电位构成，慢波是由兴奋性突触后电位构成

    D

    棘波是由兴奋性突触后电位构成，慢波是由抑制性突触后电位构成

    E

    棘波、慢波是由突触前电位构成


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    名词解释题
    抑制性突触后电位

    正确答案： 突触后膜在递质作用下发生超极化，使突触后神经元兴奋性降低，此种电位变化称为抑制性突触后电位。
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    试述兴奋性与抑制性突触后电位的作用与产生原理。


    正确答案: 在刺激引起的反射发生过程中，中枢若产生兴奋过程则传出冲动增加；若发生抑制，则中枢原有的传出冲动减弱或停止。中枢部分的兴奋传播是通过兴奋性突触后电位实现的；而抑制性突触后电位的产生，则可带来中枢抑制。兴奋性突触后电位的产生过程如下：神经轴突的兴奋冲动可使神经末梢突触前膜兴奋并释放兴奋性递质，后者经突触间隙扩散并作用于突触后膜与特殊受体相结合，由此提高后膜对Na+、K+、Cl-，尤其是Na+的通透性，因Na+进入较多而膜电位降低，出现局部的去极化，这种短暂的局部去极化可呈现电紧张形式扩布，称兴奋性突触后电位（EPSP）。它通过总和作用可使膜电位绝对值降低至阈电位，从而在轴突始段产生扩布性动作电位，沿神经纤维传导，表现为突触后神经元兴奋。抑制性突触后电位产生过程如下：抑制性神经元兴奋，神经末梢释放抑制性递质，后者经过扩散与突触后膜受体结合，从而使后膜对K+、Cl-，尤其是Cl-的通透性提高；膜电位绝对值增大而出现超极化，即抑制性突触后电位。

  • 第9题：

    兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位形成的机制是什么？


    正确答案:兴奋性突触后电位（EPSP）形成机制是：兴奋性递质作用于突触后膜上受体，提高后膜对Na+、K+，尤其对Na+通透性，Na+内流导致膜去极化，提高突触后神经元兴奋性。抑制性突触后电位（ISP）形成机制是：抑制性递质作用于突触后膜，使后膜上Cl-通道开放，Cl-内流使膜电位发生超极化，降低了突触后神经元兴奋性。

  • 第10题：

    抑制性突触后电位


    正确答案:当抑制性神经元兴奋性时，其末梢释放抑制性化学递质，递质与后膜上的受体结合后，使后膜对K+、Cl-尤其是Cl-的通透性升高，导致K+外流和Cl-内流，使后膜超极化，称抑制性突触后电位。

  • 第11题：

    判断题
    抑制性突触后电位是由于突触后膜出现了去极化。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位分别是如何产生的？

    正确答案： 兴奋性突触后电位：突触前膜发生去极化→Ca2+内流→突触小泡的出胞→兴奋性递质释放→与后膜受体结合→引起Na+内流>K+外流→结果使后膜去极化→（或通过总和）达轴丘始段，触发产生动动作电位。抑制性突触后电位：如果释放递质为抑制性递质→进人突触间隙→经扩散作用于突触后膜上的特异性受体或化学门控通道→提高突触后膜对Cl-－、K+通透性（以Cl-通透性增加为主）→使突触后膜超极化（这一电位称为抑制性突触后电位，IPSP）→使后膜电位与阈电位的差距增大→轴丘始段不产生动作电位（即产生抑制效应）。
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  • 第13题：

    名词解释题
    抑制性突触后电位（IPSP）

    正确答案： 突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部超极化电位变化称为抑制性突触后电位。
    解析： 暂无解析

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