电子束百分深度剂量随能量的改变而改变,其变化特点是()A、随着电子束能量的增加,其表面剂量降低、高剂量坪区变窄、剂量跌落梯度增加,并且X线污染减小B、随着电子束能量的增加,其表面剂量降低、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少,并且X线污染增加C、随着电子束能量的增加,其表面剂量增加、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少,并且X线污染增加D、随着电子束能量的增加,其表面剂量增加、高剂量坪区变窄、剂量跌落梯度增加,并且X线污染增加E、随着电子束能量的增加,其表面剂量增加、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少,并且X线污染

题目

电子束百分深度剂量随能量的改变而改变,其变化特点是()

  • A、随着电子束能量的增加,其表面剂量降低、高剂量坪区变窄、剂量跌落梯度增加,并且X线污染减小
  • B、随着电子束能量的增加,其表面剂量降低、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少,并且X线污染增加
  • C、随着电子束能量的增加,其表面剂量增加、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少,并且X线污染增加
  • D、随着电子束能量的增加,其表面剂量增加、高剂量坪区变窄、剂量跌落梯度增加,并且X线污染增加
  • E、随着电子束能量的增加,其表面剂量增加、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少,并且X线污染减小

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  • 第1题:

    高能电子束的深度剂量曲线分为剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区和X射线污染区,治疗肿瘤时应使靶区位于()

    • A、剂量建成区
    • B、高剂量坪区
    • C、剂量建成区和高剂量坪区
    • D、高剂量坪区和剂量跌落区
    • E、剂量跌落区和X射线污染区

    正确答案:A

  • 第2题:

    电子束百分深度剂量随源皮距增加而变化的特点,哪项错误()

    • A、表面剂量增加
    • B、最大剂量深度变深
    • C、X射线污染增加
    • D、剂量梯度变陡
    • E、高能电子束较低能电子束变化显著

    正确答案:A

  • 第3题:

    关于高能电子束的百分深度剂量,描述错误的是()

    • A、剂量建成区
    • B、低剂量坪区
    • C、高剂量坪区
    • D、剂量跌落区
    • E、X射线污染区

    正确答案:B

  • 第4题:

    当高能电子束能量增大时,其PDD曲线随能量变化的关系是()

    • A、PDD表面剂量减少、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加
    • B、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加
    • C、PDD表面剂量增加、坪区变窄、剂量梯度减少以及X射线污染增加
    • D、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度增大以及X射线污染增加
    • E、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染减少

    正确答案:B

  • 第5题:

    高能电子束的PDD曲线可大致分为以下几个区域()。

    • A、剂量建成区、高剂量坪区、低剂量区
    • B、表面剂量区、低剂量坪区、剂量上升区
    • C、表面剂量区、剂量跌落区、低剂量坪区以及X射线污染区
    • D、表面剂量区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区
    • E、剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区

    正确答案:E

  • 第6题:

    单选题
    对高能电子束剂量分布特点的描叙,哪项不正确()
    A

    表面剂量随能量的增加而增加 

    B

    从表面到DmAx为剂量建成区,区宽随射线能量增加而增加 

    C

    从DmAx得到D80(D85)为治疗区,剂量梯度变化较小 

    D

    D80(D85)以后,为剂量跌落区,随射线能量增加剂量梯

    E

    度变徒随电子束能量增加,皮肤剂量和尾部剂量增加 


    正确答案: D
    解析: 暂无解析

  • 第7题:

    单选题
    当高能电子柬能量增大时,其PDD曲线随能量变化的关系是(  )。
    A

    PDD表面剂量减少、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加

    B

    PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加

    C

    PDD表面剂量增加、坪区变窄、剂量梯度减少以及X射线污染增加

    D

    PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度增大以及X射线污染增加

    E

    PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染减少


    正确答案: C
    解析: 暂无解析

  • 第8题:

    单选题
    高能电子束的PDD曲线可大致分为以下几个区域?(  )
    A

    剂量建成区、高剂量坪区、低剂量区

    B

    表面剂量区、低剂量坪区、剂量上升区

    C

    表面剂量区、剂量跌落区、低剂量坪区以及X射线污染区

    D

    表面剂量区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区

    E

    剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第9题:

    关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是()。

    • A、大致分4部分:剂量建成区,高剂量坪区,剂量跌落区,X射线污染区
    • B、大致分2部分:剂量建成区,剂量指数形式衰减区
    • C、大致分3部分:高剂量坪区,剂量指数形式衰减区,X线污染区
    • D、剂量由表面开始逐渐增加,达到峰值后,剂量随深度增加而成指数形式衰减
    • E、和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样

    正确答案:A

  • 第10题:

    关于能量对电子束百分深度剂量的影响,哪项描述正确()?

    • A、随射线能量增加,表面剂量减少
    • B、随射线能量减小,X射线污染减少
    • C、随射线能量增加,高剂量坪区变宽
    • D、随射线能量减小,剂量梯度增大

    正确答案:C

  • 第11题:

    高能电子线等剂量线分布的显著特点是()。

    • A、随深度的增加,低值等剂量线向外侧扩张,高值等剂量线向内收缩,并随电子束能量而变化
    • B、随深度的增加,低值等剂量线向内收缩,高值等剂量线向外侧扩张,并随电子束能量而变化
    • C、随深度的增加,低值等剂量线向外侧扩张,高值等剂量线向内收缩,不随电子束能量而变化
    • D、随深度的增加,低值等剂量线向内收缩,高值等剂量线向内收缩,不随电子束能量而变化
    • E、随深度的增加,低值等剂量线向外侧扩张,高值等剂量线向外侧扩张,并随电子束能量而变化

    正确答案:A

  • 第12题:

    由中心轴百分深度剂量(PDD)曲线可以看出,对于高能X(γ)射线()。

    • A、能量增大时,表面剂量增加,建成区变窄,最大剂量深度减少
    • B、能量增大时,表面剂量减少,建成区增宽,最大剂量深度增加
    • C、能量增大时.表面剂量减少,建成区变窄,最大剂量深度增加
    • D、能量增大时,表面剂量增加,建成区增宽,最大剂量深度增加
    • E、能量减少时,表面剂量减少,建成区增宽,最大剂量深度减少

    正确答案:B

  • 第13题:

    单选题
    关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是()。
    A

    大致分4部分:剂量建成区,高剂量坪区,剂量跌落区,X射线污染区

    B

    大致分2部分:剂量建成区,剂量指数形式衰减区

    C

    大致分3部分:高剂量坪区,剂量指数形式衰减区,X线污染区

    D

    剂量由表面开始逐渐增加,达到峰值后,剂量随深度增加而成指数形式衰减

    E

    和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样


    正确答案: C
    解析: 暂无解析

  • 第14题:

    单选题
    当高能电子束能量增大时,其PDD曲线随能量变化的关系是()。
    A

    PDD表面剂量减少、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加

    B

    PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加

    C

    PDD表面剂量增加、坪区变窄、剂量梯度减少以及X射线污染增加

    D

    PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度增大以及X射线污染增加

    E

    PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染减少


    正确答案: E
    解析: 暂无解析

  • 第15题:

    单选题
    电子束百分深度剂量分布随能量变化十分明显。随着电子束能量的增加()。
    A

    表面剂量不变,高剂量坪区不变

    B

    表面剂量不变,高剂量坪区变宽

    C

    表面剂量增加,高剂量坪区变窄

    D

    表面剂量增加,高剂量坪区变宽

    E

    表面剂量减小,高剂量坪区变窄


    正确答案: B
    解析: 暂无解析