不属于高能电子束百分深度剂量的是()
第1题:
电子束百分深度剂量曲线的高剂量“坪区”的形成原因是()
第2题:
高能电子束的高值等剂量曲线,随深度增加()
第3题:
X(γ)线、电子束混合照射的物理原理是()。
第4题:
影响高能电子束百分深度剂量的因素有哪些?
第5题:
电子束百分深度剂量随源皮距增加而变化的特点,哪项错误()
第6题:
高能电子束百分深度剂量分布曲线后部有一长长的”拖尾”,其形成原因是()
第7题:
描述照射对电子束百分深度剂量的影响,正确的是()
第8题:
对高能电子束等剂量曲线形状的错误描述是( )
第9题:
入射面处曲线集中,随深度增加,逐渐散开,有较大的旁向散射
曲线的曲度随深度、射野面积及能量变化而变化
等剂量曲线(包括百分深度剂量曲线)只有对具体机器在具体条件下才有意义
等剂量曲线表明,低值等剂量线向内收缩而高值等剂量线则呈膨胀趋势
不论入射面是平的还是弯曲的,曲线中心部分与入射表面平行
第10题:
随深度的增加,低值等剂量线向外侧扩张,高值等剂量线向内收缩,并随电子束能量而变化
随深度的增加,低值等剂量线向内收缩,高值等剂量线向外侧扩张,并随电子束能量而变化
随深度的增加,低值等剂量线向外侧扩张,高值等剂量线向内收缩,不随电子束能量而变化
随深度的增加,低值等剂量线向内收缩,高值等剂量线向内收缩,不随电子束能量而变化
随深度的增加,低值等剂量线向外侧扩张,高值等剂量线向外侧扩张,并随电子束能量而变化
第11题:
大致分4部分:剂量建成区,高剂量坪区,剂量跌落区,X射线污染区
大致分2部分:剂量建成区,剂量指数形式衰减区
大致分3部分:高剂量坪区,剂量指数形式衰减区,X线污染区
剂量由表面开始逐渐增加,达到峰值后,剂量随深度增加而成指数形式衰减
和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样
第12题:
4MeV
6MeV
9MeV
12MeV
15MeV
第13题:
硅晶体半导体探测器主要用于测量()的相对剂量。
第14题:
关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是()。
第15题:
高能X线照射时组织填充一般是用于( )
第16题:
高能电子束等剂量分布特点是什么?
第17题:
不属于高能电子束百分深度剂量曲线组成部分的是()
第18题:
描述电子束百分深度剂量的参数不包括()
第19题:
关于高能电子束的百分深度剂量,描述错误的是()
第20题:
根据电子束百分深度剂量随深度变化的规律,对于深度为1cm的靶区,电子能量应选择()。
第21题:
减轻皮肤反应
提高百分深度剂量
提高肿瘤(靶区)的百分深度剂量
提高皮肤剂量
代替组织补偿器
第22题:
随深度的增加,低值等剂量线向外侧扩张,高值等剂量线向内收缩,并随电子束能量而变化
随深度的增加,低值等剂量线向内收缩,高值等剂量线向外侧扩张,并随电子束能量而变化
随深度的增加,低值等剂量线向外侧扩张,高值等剂量线向内收缩,不随电子束能量而变化
随深度的增加,低值等剂量线向内收缩,高值等剂量线向内收缩,不随电子束能量而变化
随深度的增加,低值等剂量线向外侧扩张,高值等剂量线向外侧扩张,并随电子束能量而变化
第23题:
剂量建成区
低剂量坪区
高剂量坪区
X射线污染区
剂量跌落区