单选题非贵金属烤瓷桥修复,金属基底预氧化应在除气的基础上再加热至预定终点温度,在非真空状态下继续维持的时间为(  )。A 1minB 2minC 3minD 4minE 5min

题目
单选题
非贵金属烤瓷桥修复,金属基底预氧化应在除气的基础上再加热至预定终点温度,在非真空状态下继续维持的时间为(  )。
A

1min

B

2min

C

3min

D

4min

E

5min


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  • 第1题:

    金属基底冠桥的预氧化应在除气基础上再加热至预定终点温度,在非真空状态下继续维持

    A.0.5~1.0min

    B.1~3min

    C.5~10min

    D.20~30min

    E.30min以上


    正确答案:C

  • 第2题:

    金瓷结合界面处理恰当与否关系到金瓷结合强度,因此严格进行正确的处理才能保证PFM冠的质量PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是()。

    • A、非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜
    • B、贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜
    • C、非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜
    • D、非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同
    • E、理想的氧化膜厚度为0.2~2μm

    正确答案:A

  • 第3题:

    单选题
    烤瓷合金的预氧化是在除气的基础上,再加热至预定的终点温度,在非真空下继续维持(  )。
    A

    18~20min

    B

    15~17min

    C

    11~13min

    D

    5~10min

    E

    2~4min


    正确答案: D
    解析: 暂无解析

  • 第4题:

    单选题
    金瓷结合界面处理恰当与否关系到金瓷结合强度,因此严格进行正确的处理才能保证PFM冠的质量PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是()。
    A

    非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜

    B

    贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜

    C

    非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜

    D

    非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同

    E

    理想的氧化膜厚度为0.2~2μm


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第5题:

    PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是

    A.非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜

    B.贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜

    C.巴非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜

    D.非贵金属预氧化烧结的温度与OP层烧结的温度相同

    E.理想的氧化膜厚度为0.2~2μm


    正确答案:A

  • 第6题:

    Schinner试验滤纸的夹持时间是()

    • A、1min
    • B、2min
    • C、3min
    • D、4min
    • E、5min

    正确答案:E

  • 第7题:

    单选题
    金瓷基底冠桥进行氧化,是在除气的基础上再加热。至预定终点温度时在非真空状态下应继续维持()
    A

    1~2分钟

    B

    3~5分钟

    C

    5~10分钟

    D

    10~12分钟

    E

    12~15分钟


    正确答案: E
    解析: 暂无解析