1min
2min
3min
4min
5min
第1题:
金属基底冠桥的预氧化应在除气基础上再加热至预定终点温度,在非真空状态下继续维持
A.0.5~1.0min
B.1~3min
C.5~10min
D.20~30min
E.30min以上
第2题:
金瓷结合界面处理恰当与否关系到金瓷结合强度,因此严格进行正确的处理才能保证PFM冠的质量PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是()。
第3题:
18~20min
15~17min
11~13min
5~10min
2~4min
第4题:
非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜
贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜
非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜
非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同
理想的氧化膜厚度为0.2~2μm
第5题:
PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是
A.非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜
B.贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜
C.巴非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜
D.非贵金属预氧化烧结的温度与OP层烧结的温度相同
E.理想的氧化膜厚度为0.2~2μm
第6题:
Schinner试验滤纸的夹持时间是()
第7题:
1~2分钟
3~5分钟
5~10分钟
10~12分钟
12~15分钟