金瓷基底冠桥进行氧化，是在除气的基础上再加热。至预定终点温度时在非真空状态下应继续维持A、1～2分钟B、3～5分钟C、5～10分钟D、10～12分钟E、12～15分钟

题目

金瓷基底冠桥进行氧化，是在除气的基础上再加热。至预定终点温度时在非真空状态下应继续维持

A、1～2分钟

B、3～5分钟

C、5～10分钟

D、10～12分钟

E、12～15分钟

相似考题

1.某技术员在进行金瓷修复体基底冠表面处理时，用铝砂喷砂去除金-瓷结合面的包埋料后，以下哪一操作步骤是错误的A、用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物B、用钨刚钻磨除贵金属表面的氧化物C、一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形D、使用橡皮轮磨光金属表面E、防止在除气及预氧化后用手接触金属表面

2.某技术员在进行金瓷修复体基底冠表面处理时,用铝砂喷砂去除金一瓷结合面的包埋料后,以下哪一操作步骤是错误的A、用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物B、用钨刚钻磨除贵金属表面的氧化物C、一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形D、使用橡皮轮磨光金属表面E、防止在除气及预氧化后用手接触金属表面

3.金瓷结合界面处理恰当与否关系到金瓷结合强度，因此严格进行正确的处理才能保证PFM冠的质量PFM基底冠的打磨处理中错误的是A、用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物B、用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物C、打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合．部要求的外形D、禁止使用橡皮轮磨光E、用50～100μm的氧化铝喷砂PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是A、非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜B、贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜C、非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜D、非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同E、理想的氧化膜厚度为0．2～2μm

4.金属烤瓷冠桥修复中，除气、预氧化的目的是A、增强金-瓷的结合强度B、增强基底冠的强度C、增加基底冠的厚度D、利于遮色瓷的涂塑E、增强瓷冠的光泽度

更多“金瓷基底冠桥进行氧化，是在除气的基础上再加热。至预定终点温度时在非真空状态下应继续维持A、1～2 ”相关问题

  • 第1题：

    某技术员在进行金瓷修复体基底冠表面处理时，用铝砂喷砂去除金-瓷结合面的包埋料后，以下操作步骤错误的是

    A、用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物

    B、用钨钢钻磨除贵金属表面的氧化物

    C、一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形

    D、使用橡皮轮磨光金属表面

    E、防止在除气及预氧化后用手接触金属表面


    参考答案：D

  • 第2题：

    非贵金属烤瓷桥修复，金属基底预氧化应在除气的基础上再加热至预定终点温度，在非真空状态下继续维持的时间为

    A、1min

    B、2min

    C、3min

    D、4min

    E、5min


    参考答案：E

  • 第3题：

    PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是

    A．非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜

    B．贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜

    C．巴非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜

    D．非贵金属预氧化烧结的温度与OP层烧结的温度相同

    E．理想的氧化膜厚度为0.2～2μm


    正确答案：A

  • 第4题：

    烤瓷合金的预氧化是在除气的基础上，再加热至预定的终点温度，在非真空下继续维持

    A、18～20min

    B、15～17min

    C、11～13min

    D、5～10min

    E、2～4min


    参考答案：D

  • 第5题：

    金属基底冠桥的预氧化应在除气基础上再加热至预定终点温度，在非真空状态下继续维持

    A．0.5～1.0min

    B．1～3min

    C．5～10min

    D．20～30min

    E．30min以上


    正确答案：C

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