下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述（）是正确的A、磁化强度为一定时，缺陷高度小于1mm的形状相似的表面缺陷，其漏磁通与缺陷高度无关B、缺陷离试件表面越近，缺陷漏磁通越小C、在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时，缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响D、交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小E、当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时，缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响F、c，d和e都对

题目

下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述（）是正确的

  • A、磁化强度为一定时，缺陷高度小于1mm的形状相似的表面缺陷，其漏磁通与缺陷高度无关
  • B、缺陷离试件表面越近，缺陷漏磁通越小
  • C、在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时，缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响
  • D、交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小
  • E、当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时，缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响
  • F、c，d和e都对
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1.深槽式异步电动机转子绕组中通有电流时，（）。A、导体下部所匝链的漏磁通比上部多。B、导体下部所匝链的漏磁通比上部少。C、导体下部所匝链的漏磁通与上部均等。

2.下列关于漏磁通的叙述，正确的是（）A、内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大B、缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比C、表面缺陷的漏磁通密度，随离开表面的距离增大而急剧下降D、用有限线圈磁化长的工件，不需要进行分段磁化

3.下列关于缺陷漏磁通的叙述，正确的是（）A、与试件上总的磁通密度有关B、与缺陷自身高度有关C、磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大D、以上都对

4.在磁粉探伤时，缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的磁通密度有关

更多“下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述（）是正确的”相关问题

  • 第1题：

    在磁粉探伤时，缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的（）有关，与缺陷的（）和（）有关


    正确答案:磁通密度；几何形状；方向

  • 第2题：

    下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）

    • A、缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小
    • B、在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响
    • C、交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小
    • D、在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受磁化方向影响；
    • E、除A以外都对

    正确答案:E

  • 第3题：

    下列关于漏磁场的叙述中，正确的是（）

    • A、缺陷方向与磁力线平行时，漏磁场最大
    • B、漏磁场的大小与工件的磁化程度无关
    • C、漏磁场的大小与缺陷的深度和宽度的比值有关
    • D、工件表层下，缺陷所产生的漏磁场，随缺陷的埋藏深度增加而增大

    正确答案:C

  • 第4题：

    下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述（）是正确的。

    • A、 在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时，缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响
    • B、 交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小
    • C、 当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时，缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响
    • D、 以上都对

    正确答案:D

  • 第5题：

    磁粉探伤时缺陷处产生的漏磁通与通过工件的（）有关，与缺陷的（）和（）有关。


    正确答案:电流；大小；位置

  • 第6题：

    在电磁学中，关于磁路的概念，下列正确说法是（）.

    • A、磁力线所经过的路线
    • B、主磁通形成闭合回路所经过的路径
    • C、漏磁通形成闭合回路所经过的路径
    • D、主磁通与漏磁通共同经过的路径

    正确答案:B

  • 第7题：

    单选题
    下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的（）
    A

    它与试件上的磁通密度有关

    B

    它与缺陷的高度有关

    C

    磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大

    D

    以上都对


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    判断题
    在磁粉探伤时，缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的磁通密度有关
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    填空题
    在磁粉探伤时，缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的（）有关；与缺陷的（）和（）有关

    正确答案： 磁通密度,几何形状,方向
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    下列关于漏磁场的叙述中，正确的是（）
    A

    缺陷方向与磁力线平行时，漏磁场最大

    B

    漏磁场的大小与工件的磁化程度无关

    C

    漏磁场的大小与缺陷的深度比有关

    D

    工件表层下，缺陷所产生的漏磁场，随缺陷的埋藏深度增加而增大


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    下列关于漏磁通的叙述，正确的是（）
    A

    内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大

    B

    缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比

    C

    表面缺陷的漏磁通密度，随离开表面的距离增大而急剧下降

    D

    用有限线圈磁化长的工件，不需要进行分段磁化


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）
    A

    缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小

    B

    在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响

    C

    交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小

    D

    在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受磁化方向影响；

    E

    除A以外都对


    正确答案： E
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的（）

    • A、它与试件上的磁通密度有关
    • B、它与缺陷的高度有关
    • C、磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大
    • D、以上都对

    正确答案:D

  • 第14题：

    下列关于漏磁场的叙述中，正确的是（）

    • A、缺陷方向与磁力线平行时，漏磁场最大
    • B、漏磁场的大小与工件的磁化程度无关
    • C、漏磁场的大小与缺陷的深度比有关
    • D、工件表层下，缺陷所产生的漏磁场，随缺陷的埋藏深度增加而增大

    正确答案:C

  • 第15题：

    在磁粉探伤时，缺陷处所产生的漏磁通的大小与缺陷的几何形状和方向有关


    正确答案:正确

  • 第16题：

    下列有关漏磁通的叙述正确的是（）。

    • A、内部缺陷处的漏磁通，比同样大小的表面缺陷为大
    • B、缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比
    • C、表面缺陷的漏磁通密度，随着离开表面距离的增加而急剧减弱
    • D、用有限线圈磁化长的试件，不需进行分段磁化

    正确答案:C

  • 第17题：

    磁粉探伤时，缺陷处产生的漏磁通与通过工件（）有关，与缺陷的（）和（）有关。


    正确答案:电流；大小；位置

  • 第18题：

    填空题
    磁粉探伤时缺陷处产生的漏磁通与通过工件的（）有关，与缺陷的（）和（）有关。

    正确答案： 电流,大小,位置
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    填空题
    磁粉探伤时，缺陷处产生的漏磁通与通过工件（）有关，与缺陷的（）和（）有关。

    正确答案： 电流,大小,位置
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    判断题
    在磁粉探伤时，缺陷处所产生的漏磁通的大小与缺陷的几何形状和方向有关
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    下列关于缺陷漏磁通的叙述，正确的是（）
    A

    与试件上总的磁通密度有关

    B

    与缺陷自身高度有关

    C

    磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大

    D

    以上都对


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述（）是正确的
    A

    磁化强度为一定时，缺陷高度小于1mm的形状相似的表面缺陷，其漏磁通与缺陷高度无关

    B

    缺陷离试件表面越近，缺陷漏磁通越小

    C

    在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时，缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响

    D

    交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小

    E

    当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时，缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响

    F

    c，d和e都对


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    下列有关漏磁通的叙述，哪些是正确的（）
    A

    内部缺陷处的漏磁通，比同样大小的表面缺陷为大

    B

    缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比

    C

    表面缺陷的漏磁通密度，随着离开表面距离的增加而急剧减弱

    D

    用有限线圈磁化长的试件，不需进行分段磁化


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

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