更多“在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的磁通密度无关”相关问题
  • 第1题:

    在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的()有关,与缺陷的()和()有关


    正确答案:磁通密度;几何形状;方向

  • 第2题:

    下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的()

    • A、它与试件上的磁通密度有关
    • B、它与缺陷的高度有关
    • C、磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大
    • D、以上都对

    正确答案:D

  • 第3题:

    在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与缺陷的几何形状和方向有关


    正确答案:正确

  • 第4题:

    在磁粉探伤中对磁粉的性能要求是()。

    • A、矫顽力高
    • B、磁导率高
    • C、与磁粉的粒度大小无关
    • D、对磁粉的颜色无要求

    正确答案:D

  • 第5题:

    磁粉探伤中,工件中缺陷与漏磁场方向垂直时漏磁场强度最大。


    正确答案:正确

  • 第6题:

    磁粉探伤时,缺陷处产生的漏磁通与通过工件()有关,与缺陷的()和()有关。


    正确答案:电流;大小;位置

  • 第7题:

    填空题
    磁粉探伤时缺陷处产生的漏磁通与通过工件的()有关,与缺陷的()和()有关。

    正确答案: 电流,大小,位置
    解析: 暂无解析

  • 第8题:

    填空题
    磁粉探伤时,缺陷处产生的漏磁通与通过工件()有关,与缺陷的()和()有关。

    正确答案: 电流,大小,位置
    解析: 暂无解析

  • 第9题:

    判断题
    在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与缺陷的几何形状和方向有关
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第10题:

    判断题
    在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的磁通密度无关
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    判断题
    试件上的磁通密度在大于、等于饱和磁通密度的80%时,缺陷漏磁通开始急剧增大
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    填空题
    试件上的磁通密度在大于、等于饱和磁通密度的()%时,缺陷漏磁通开始急剧增大

    正确答案: 80
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    试件上的磁通密度在大于、等于饱和磁通密度的80%时,缺陷漏磁通开始急剧增大


    正确答案:正确

  • 第14题:

    在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与缺陷的几何形状和方向无关


    正确答案:错误

  • 第15题:

    由磁粉探伤理论可知,磁力线在缺陷处会断开,产生磁极并吸附磁粉。()


    正确答案:错误

  • 第16题:

    磁粉探伤时缺陷处产生的漏磁通与通过工件的()有关,与缺陷的()和()有关。


    正确答案:电流;大小;位置

  • 第17题:

    磁粉探伤为了检出工件表面的微小缺陷,最好选用粒度()的磁粉。


    正确答案:

  • 第18题:

    ()操作时磁化是首先根据缺陷特性与试件形状选定磁化方法,在根据磁化方法,磁粉,试件的材质、形状、尺寸等确定磁化电流值,使试件表面有效磁场的磁通密度达到试件材料饱和磁通密度的80%~90%。

    • A、渗透检测
    • B、频谱检测
    • C、磁粉探伤
    • D、超声波检测

    正确答案:C

  • 第19题:

    填空题
    磁粉探伤为了检出工件表面的微小缺陷,最好选用粒度()的磁粉。

    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第20题:

    判断题
    在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的磁通密度有关
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第21题:

    判断题
    在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与缺陷的几何形状和方向无关
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第22题:

    填空题
    在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的()有关;与缺陷的()和()有关

    正确答案: 磁通密度,几何形状,方向
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    单选题
    下列关于缺陷漏磁通的叙述,正确的是()
    A

    与试件上总的磁通密度有关

    B

    与缺陷自身高度有关

    C

    磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大

    D

    以上都对


    正确答案: A
    解析: 暂无解析