采用CMOS结构实现逻辑运算 y=a+b.c时，使用（）个MOS器件

题目

采用CMOS结构实现逻辑运算 y=a+b.c时，使用（）个MOS器件

相似考题

1.CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。()此题为判断题(对，错)。

2.CMOS 非门电路采用什么类型的MOS管?

3.通信设备内部电路采用大量的半导体MOS、CMOS等器件,由于这类器件对静电的敏感范围为(),所以机房必须采取防静电措施。A.25~10000VB.25~5000VC.25~1000VD.25~500V

4.微机化仪表中，若全部采用CMOS逻辑器件，则其噪声容限约为采用TTL逻辑器件时的( )倍。A．5倍B．3倍C．2倍D．1倍

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  • 第1题：

    目前主要使用的是（）与CMOS两种半导体成像器件。

    • A、CCD
    • B、MOS
    • C、VIDICOM
    • D、PAL

    正确答案:A

  • 第2题：

    晶体三极管和MOS管是同一个器件


    正确答案:错误

  • 第3题：

    在MOS逻辑电路中，由PMOS管组成的与非门电路叫做（）。

    • A、互补MOS与非门电路
    • B、CMOS与非门电路

    正确答案:A

  • 第4题：

    SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、（）、（）、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等


    正确答案:二极管；三极管

  • 第5题：

    通信设备内部电路采用大量的半导体MOS、CMOS等器件，由于这类器件对静电的敏感范围为（），所以机房必须采取防静电措施。

    • A、25~10000V
    • B、25~5000V
    • C、25~1000V
    • D、25~500V

    正确答案:C

  • 第6题：

    计算机板卡上的集成电路器件多采用MOS技术制造。


    正确答案:正确

  • 第7题：

    兼有（）和（）两种增强型MOS电路称为CMOS电路。


    正确答案:N沟道；P沟道

  • 第8题：

    填空题
    半导体器件隔离的种类有：（）；（）和（）三种。P-N结隔离适合（）的器件。目前大多数CMOS器件采用（）隔离，绝缘介质场区氧化层采用（）工艺生长。

    正确答案： P-N结隔离,介质隔离,沟槽隔离,低密度、低成本,介质,局部氧化（LOCOS）
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    问答题
    什么是MOS器件的体效应？

    正确答案： MOS工艺中，N管衬底接最低电位，P管衬底接最高电位；但它们的源极却未必与衬底电位相同，于是源衬存在电压差，这个电压差将影响阈值电压，这称为体效应。
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    判断题
    计算机板卡上的集成电路器件多采用MOS技术制造。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    多选题
    CMOS漏极开路门的特点有（）。
    A

    输出MOS管的漏极是开路的

    B

    可以实现线与功能

    C

    可以用来实现逻辑电平转换

    D

    带负载能力强


    正确答案： D,C
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    MOS器件按比例缩小后对器件特性有什么影响？

    正确答案： 若MOS器件按比例因子α缩小后，器件速度得意提高、功耗减小、芯片面积减小集成度提高。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    单极型集成电路不包含（）.

    • A、普通晶体管（NPN管或PNP管）
    • B、P沟道MOS管
    • C、N沟道MOS管
    • D、互补型MOS（即CMOS）

    正确答案:A

  • 第14题：

    CMOS漏极开路门的特点有（）。

    • A、输出MOS管的漏极是开路的
    • B、可以实现线与功能
    • C、可以用来实现逻辑电平转换
    • D、带负载能力强

    正确答案:A,B,C,D

  • 第15题：

    下面是关于CMOS（ComplemeMAry MetAl-OxiDe SemiConDuCtor一互联型金属氧化物半导体器件）的描述，正确的有（）

    • A、CMOS是一个小型的RAM，功耗低，在外界电源切断时，由主板上的电池供电
    • B、CMOS中保存系统正常运行所需的参数，如果它们有误，计算机不能正常工作
    • C、CMOS中的数据用户不能重新设置
    • D、CMOS中的数据可以重新设置，但需要使用系统提供的专用程序SETUP

    正确答案:A,B,D

  • 第16题：

    当输出为TTL电平的串行或并行I/O器件与CMOS电路连接时，如果CMOS电路电源大于（）V，则必须在这两种器件之间采用电平转换器。


    正确答案:+5

  • 第17题：

    采用5V电源的CMOS器件的高电平范围为（），低电平范围为：（）


    正确答案:3.5~-5V；0~1.5V

  • 第18题：

    CMOS反相器基本电路包括（）

    • A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管
    • B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

    正确答案:A

  • 第19题：

    问答题
    在CMOS电路里，MOS管一般采用何种类型？

    正确答案： 增强型
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    判断题
    Bi-CMOS工艺就是用标准的Bipolar工艺来制造MOS器件。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    通信设备内部电路采用大量的半导体MOS、CMOS等器件，由于这类器件对静电的敏感范围为（），所以机房必须采取防静电措施。
    A

    25~10000V

    B

    25~5000V

    C

    25~1000V

    D

    25~500V


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    填空题
    衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压，反向偏置电压增大，则MOS器件的阈值电压也随之增大，这种效应称为（）

    正确答案： 体效应
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    目前主要使用的是（）与CMOS两种半导体成像器件。
    A

    CCD

    B

    MOS

    C

    VIDICOM

    D

    PAL


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    问答题
    MOS器件结构的对称性使其源漏区可以互换，双极型器件是否也具有同样的特点？若没有，请说明原因。

    正确答案： 双极型器件的集电极与发射极不具有对称性，不能互换。虽然双极型器件原理图显示两个PN结是对称的，但实际制造时发射区的掺杂浓度远远高于集电区，而集电结的面积大于发射结的面积。
    解析： 暂无解析

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