从二极管的伏安特性曲线看，二极管两端施加的正向压降大于门槛电压时处于正向导通状态。

第1题：

二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。

• A、0.2
• B、0.3
• C、0.5
• D、0.7

第2题：

二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。

• A、为零
• B、硅管0.7V，锗管0.3V
• C、等于电路电压
• D、电压不变

第3题：

二极管正向导通后，正向管压降几乎不随电流变化。

第4题：

二极管具有单向导电性，加正向电压，二极管截止；加反向电压，二极管导通。

第5题：

二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）

第6题：

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。（）

第7题：

在线性检波电路中，二极管的正向导通压降是否带来检波误差？

第8题：

从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。

• A、0
• B、死区电压
• C、反向击穿电压
• D、正向压降

第9题：

二极管当正向电压超过U_VD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。

第10题：

普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。

第11题：

二极管两端正向电压大于（）时，二极管才导通。

• A、击穿电压
• B、开启电压
• C、夹断电压
• D、直流电压

第12题：

利用二极管（）的特性，可以获得较好的稳压性能。

• A、单向导通
• B、反向击穿
• C、正向导通
• D、正向压降

第13题：

在二极管两端加正向电压时，正向电流（），二极管处于（）状态。

第14题：

当二极管两端正向偏置电压大于（）电压时，二极管才能导通。

• A、击穿；
• B、饱和；
• C、门槛。

第15题：

稳压二极管工作在（）

• A、正向导通状态
• B、反向导通状态
• C、正向击穿状态
• D、反向击穿状态

第16题：

二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3Ｖ，锗管0.5-0.7Ｖ。

第17题：

要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压。

第18题：

二极管导通的条件是加在二极管两端的电压（）

• A、正向电压大于PN结的死区电压
• B、正向电压等于零
• C、必须加反向电压

第19题：

二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。

• A、0.6
• B、0.7
• C、0.8
• D、1.0

第20题：

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）

第21题：

在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。

第22题：

锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。

第23题：

二极管在正向电压作用下处于（）状态。如果不计二极管的正向压降，它相当于开关处于（）状态。

第24题：