A对
B错
第1题:
第2题:
当对半导体二极管外加正向电压时(),外加反向电压时()。
第3题:
晶体二极管正向导通的条件是其正向电压值()。
第4题:
二极管具有单向导电性,加正向电压,二极管截止;加反向电压,二极管导通。
第5题:
对于晶体二极管,下列说法不正确的是:()
第6题:
要使二极管正向导通,外加正向电压必须大于二极管的死区电压。
第7题:
二极管导通的条件是加在二极管两端的电压()
第8题:
在工程估算中,硅二极管的正向导通电压取()V,锗二极管的正向导通电压取()V。
第9题:
当二极管正向偏置电压小于死区电压时二极管才能导通。
第10题:
正向电阻很小
反向电阻很大
无论加多大的反向电压,都不会导通
所加正向电压大于死区电压时,二极管才真正导通
第11题:
对
错
第12题:
正极电压高于负极电压,且其差值大于“死区电压”
正极电压小于负极电压
正极电压高于负极电压,且其差值小于“死区电压”
正极电压等于负极电压
第13题:
第14题:
二极管正向导通后,其正向电流与正向电压是线性关系。
第15题:
当二极管外加的正向电压超过死区电压时,电流随电压增加而迅速()。
第16题:
二极管具有单向导电性,加正向电压导通,反向电压截止。
第17题:
二极管正向导通的条件是()。
第18题:
半导体二极管具有显著的单向导电性,外加正向电压时,锗二极管的死区电压一般为()。
第19题:
晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
第20题:
从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管两端压降大于()时处于正偏导通状态。
第21题:
对于晶体二极管,下列说法中正确的是()。
第22题:
正向电阻很小
反向电阻很大
正向电压大于死区电压时才能导通
反向电压多大都不会导通
第23题:
正向电阻很小
无论加多大的反向电压,都不会导通
未被反向击穿前,反向电阻很大
所加正向电压大于死区电压时,二极管才算真正导通