PN结外加反向电压变化时，结电容近似为势垒电容。

题目

PN结外加反向电压变化时，结电容近似为势垒电容。

相似考题

1.就PN结的结电容大小进行比较,正向偏置时比反向偏置时的结电容();就PN结的结电容对性能影响,正向偏置时比反向偏置时的影响()。A、多B、少C、大D、小

2.当外加反向电压增加时,PN结的结电容减小。()此题为判断题(对，错)。

3.微波电路中所使用的变容二极管主要特性是（）。A、结电容随反向电压线性变化B、结电容随着反向电压向负方向增大而减小C、反向电压变化不影响结电容变化

4.当外加电压为零时,PN结的结电容最小。()此题为判断题(对，错)。

参考答案和解析
势垒电容
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  • 第1题：

    PN结有结电容。


    正确答案:正确

  • 第2题：

    PN结外加（）电压时，电路中只有很小的电流。

    • A、直流
    • B、交流
    • C、正向
    • D、反向

    正确答案:D

  • 第3题：

    稳压管是利用（）特性来实现稳压功能的。

    • A、PN结的单向导电
    • B、PN结的反向击穿
    • C、PN结的正向导通
    • D、结电容使波形平滑

    正确答案:B

  • 第4题：

    变容二极管是一种利用pn结电容（或接触势垒电容）与其反向偏置电压vr的依赖关系及原理制成的二极管，其反偏电压愈大，结电容愈大。（）


    正确答案:错误

  • 第5题：

    外加反向电压，PN结中的耗尽层宽度将变宽。


    正确答案:正确

  • 第6题：

    变容二极管是利用PN结的势垒电容而制成的，应工作在（）状态。


    正确答案:反偏

  • 第7题：

    当PN结外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流。

    • A、大于
    • B、小于
    • C、等于

    正确答案:B

  • 第8题：

    当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。当外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。


    正确答案:大于；窄；小于；宽

  • 第9题：

    判断题
    pn结反向偏置时，外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的，加强了势垒区的电场。导致势垒降低，势垒区宽度变小。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    微波电路中所使用的变容二极管主要特性是（）。
    A

    结电容随反向电压线性变化

    B

    结电容随着反向电压向负方向增大而减小

    C

    反向电压变化不影响结电容变化


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    填空题
    PN结总的电容应该包括势垒电容和（）之和。

    正确答案： 扩散电容
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

    正确答案： 减小,降低
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    二极管最高工作频率，主要取决于PN结的（）的大小。

    • A、材料
    • B、最大整定电流
    • C、结电容
    • D、反向电流

    正确答案:C

  • 第14题：

    PN结外加（）电压时导通。

    • A、直流
    • B、交流
    • C、正向
    • D、反向

    正确答案:C

  • 第15题：

    半导体中PN结的最主要特征是（），即外加正向电压时，呈（），外加反向电压时，呈（）。


    正确答案:单向导电性；低阻性；高阻性，并截止

  • 第16题：

    手机的压控振荡器通常为带变容管的电容三点式振荡电路。当加在变容管上的反向电压变化时，变容管上的结电容变化，引起振荡器震荡幅度变化。


    正确答案:错误

  • 第17题：

    把PN结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做（）特性。


    正确答案:单向导电

  • 第18题：

    当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层变窄，当PN结外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。

    • A、大于
    • B、小于
    • C、等于
    • D、变宽

    正确答案:A

  • 第19题：

    当PN结反向工作时，其结电容主要是（）

    • A、势垒电容
    • B、扩散电容
    • C、平面电容
    • D、势垒和扩散电容并存

    正确答案:A

  • 第20题：

    名词解释题
    势垒电容（结电容）

    正确答案： 反向偏置下pn结的电容。
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    填空题
    PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势Vbi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容CT就越（），雪崩击穿电压就越（）。

    正确答案： 小,大,大,小,大,小
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    填空题
    当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

    正确答案： 增大,提高
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    势垒电容反映的是PN结的（）电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（）。

    正确答案： 微分,大,小
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    填空题
    半导体中PN结的最主要特征是（），即外加正向电压时，呈（），外加反向电压时，呈（）。

    正确答案： 单向导电性,低阻性,高阻性，并截止
    解析： 暂无解析

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