下面有关MOS管的说法正确的是（）A．MOS晶体管的电学本质：电流控制电压源B．MOS器件的最高工作频率与其沟道长度的平方成正比，增大沟道长度L可有效地提高工作频率C．MOS管本征寄生电容有三个来源，分别是：栅至沟道的电容，基本MOS结构电容（覆盖电容），结电容D．NMOS传输门传输低电平有阈值损失，PMOS传输门传输高电平有阈值损失

题目

下面有关MOS管的说法正确的是（）

A．MOS晶体管的电学本质：电流控制电压源

B．MOS器件的最高工作频率与其沟道长度的平方成正比，增大沟道长度L可有效地提高工作频率

C．MOS管本征寄生电容有三个来源，分别是：栅至沟道的电容，基本MOS结构电容（覆盖电容），结电容

D．NMOS传输门传输低电平有阈值损失，PMOS传输门传输高电平有阈值损失

相似考题

1.vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。A.结型管B耗尽型MOS管C增强型MOS管

2.下面对于语音质量主观评定“MOS分”方法描述正确的是()。A.MOS得分为5，表示可完全放松，不需要注意力B.MOS得分为4，表示中等程度的注意力C.MOS得分为1，表示即使努力去听，也很难听懂D.MOS得分为3，表示需要注意，但不需明显集中注意力。

3.一个MOS管当栅极与漏极短接时，该MOS管可以作为（）。A、二极管B、负载电容C、负载电感D、有源负载

4.结型场效应管的类型有()。A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管

参考答案和解析
MOS 管本征寄生电容有三个来源，分别是：栅至沟道的电容，基本 MOS 结构电容（覆盖电容），结电容
更多“下面有关MOS管的说法正确的是（）”相关问题

  • 第1题：

    MOS管是用栅极电流来控制漏极电流大小的。


    正确答案:错误

  • 第2题：

    下面可以作为开关使用的器件有？（）

    • A、继电器
    • B、晶体三极管
    • C、MOS管
    • D、LED灯

    正确答案:A,B,C

  • 第3题：

    静态RAM的基本存储电路，是由6个MOS管组成的（）来存储信息的；动态RAM芯片是以MOS管栅极（）是否充有电荷来存储信息的。


    正确答案:触发器；电容

  • 第4题：

    场效应管的类型有（）。

    • A、结型场效应管
    • B、绝缘栅型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第5题：

    下面对于语音质量主观评定“MOS分”方法描述正确的是（）。

    • A、MOS得分为5，表示可完全放松，不需要注意力
    • B、MOS得分为4，表示中等程度的注意力
    • C、MOS得分为1，表示即使努力去听，也很难听懂
    • D、MOS得分为3，表示需要注意，但不需明显集中注意力。

    正确答案:A,C

  • 第6题：

    UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。

    • A、结型管  
    • B、增强型MOS管  
    • C、耗尽型MOS管

    正确答案:A

  • 第7题：

    MOS场效应管的输入电流为（）。


    正确答案:0

  • 第8题：

    IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电压型驱动器件。


    正确答案:正确

  • 第9题：

    问答题
    什么是MOS管的体效应？

    正确答案： 衬底接地，但是源极未接地，将而影响Vt值
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    多选题
    关于高宽长比MOS管的版图，下列说法正确的是（）
    A

    高宽长比MOS管通常采用Multi-finger的方式绘制。

    B

    高宽长比MOS管采用Multi-finger后其源/漏极的面积会减少。

    C

    高宽长比MOS管可以通过若干个小MOS管的并联形式绘制。

    D

    高宽长比MOS管采用Multi-finger后其栅极电阻会减小。


    正确答案： A,B
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    名词解释题
    MOS管

    正确答案： 是金属--氧化物--半导体场效应管的英文缩写。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    MOS管的IDS大小除与源漏电压和栅极电压有关外，还与哪些因素有关？

    正确答案： 源漏之间的距离、沟道宽度、开启电压、栅绝缘氧化层的厚度、栅绝缘层的介电常数、载流子的迁移率
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    单极型集成电路不包含（）.

    • A、普通晶体管（NPN管或PNP管）
    • B、P沟道MOS管
    • C、N沟道MOS管
    • D、互补型MOS（即CMOS）

    正确答案:A

  • 第14题：

    MOS管


    正确答案:是金属--氧化物--半导体场效应管的英文缩写。

  • 第15题：

    结型场效应管的类型有（）。

    • A、N沟道结型场效应管
    • B、P沟道结型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第16题：

    UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。

    • A、N沟道结型管
    • B、增强型MOS管
    • C、耗尽型MOS管
    • D、P沟道结型管

    正确答案:B

  • 第17题：

    衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。


    正确答案:错误

  • 第18题：

    某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）

    • A、P沟道耗尽型MOS管
    • B、N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管
    • D、N沟道增强型MOS管

    正确答案:B

  • 第19题：

    当UGS＝0时，（）管不可能工作在恒流区。

    • A、JFET
    • B、增强型MOS管
    • C、耗尽型MOS管
    • D、NMOS管

    正确答案:B

  • 第20题：

    CMOS反相器基本电路包括（）

    • A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管
    • B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

    正确答案:A

  • 第21题：

    问答题
    什么是MOS管的阈值电压？

    正确答案： 引起沟道区产生强表面反型的最小栅电压，称为阈值电压VT。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    判断题
    IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点，属电流型驱动器件。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    什么是MOS晶体管的有源寄生效应？

    正确答案： MOS晶体管的有源寄生效应是指MOS集成电路中存在的一些不希望的寄生双极晶体管、场区寄生MOS管和寄生PNPN（闩锁效应），这些效应对MOS器件的工作稳定性产生极大的影响。
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    问答题
    简述MOS管的导电沟道是如何形成的。

    正确答案： N反型层与源漏两端的N型扩散层连通
    解析： 暂无解析

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