绝缘栅场效晶体管按其工作状态可分为增强型和耗尽型两类，每类又有N沟道和P沟道之分。

题目

绝缘栅场效晶体管按其工作状态可分为增强型和耗尽型两类，每类又有N沟道和P沟道之分。

相似考题

1.在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。A、N沟道耗尽型B、P沟道耗尽型C、P沟道增强型D、N沟道增强型

2.场效应管有结型和绝缘栅型两类,每一类中又分()两种。A、N沟道和P沟道B、H沟道和P沟道C、N沟道和H沟道D、Y沟道和H沟道

3.CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。()此题为判断题(对，错)。

4.按导电沟道不同,电力MOSFET可分为哪两项?( )A、耗尽型B、增强型C、P沟道D、N沟道

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  • 第1题：

    功率场效应晶体管一般为()。

    A.P沟道耗尽型

    B.P沟道增强型

    C.N沟道耗尽型

    D.N沟道增强型


    正确答案：D

  • 第2题：

    电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。


    参考答案：P沟道;N沟道;耗尽型;增强型;N沟道增强型

  • 第3题：

    某N沟道场效应晶体管测得UGS=0时，漏极电流Id=10mA，则该管的类型为（）。

    • A、耗尽型管
    • B、增强型管
    • C、绝缘栅型
    • D、无法确定

    正确答案:A

  • 第4题：

    CMOS类型的集成电路的C它代表（）型的场效应三极管。

    • A、互补
    • B、耗尽
    • C、P沟道
    • D、N沟道

    正确答案:A

  • 第5题：

    绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种


    正确答案:正确

  • 第6题：

    场效应管的类型有（）。

    • A、结型场效应管
    • B、绝缘栅型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第7题：

    （）具有不同的低频小信号电路模型。

    • A、NPN型管和PNP型管
    • B、增强型场效应管和耗尽型场效应管
    • C、N沟道场效应管和P沟道场效应管
    • D、晶体管和场效应管

    正确答案:D

  • 第8题：

    某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）

    • A、P沟道耗尽型MOS管
    • B、N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管
    • D、N沟道增强型MOS管

    正确答案:B

  • 第9题：

    场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。


    正确答案:结型；增强型

  • 第10题：

    CMOS反相器基本电路包括（）

    • A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管
    • B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

    正确答案:A

  • 第11题：

    填空题
    单极型晶体管又称为（）管。其导电沟道分有（）沟道和P沟道。

    正确答案： MOS,N
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    结型场效应晶体管根据结构不同分为（）
    A

    P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管

    B

    P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管

    C

    N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管

    D

    N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    功率场效应晶体管一般为()。

    A、N沟道耗尽型

    B、N沟道增强型

    C、P沟道耗尽型

    D、P沟道增强型


    正确答案:B

  • 第14题：

    结型场效应管的类型有()。

    A.N沟道结型场效应管

    B.P沟道结型场效应管

    C.N沟道增强型MOS管

    D.P沟道增强型MOS管

    E.N沟道耗尽型MOS管

    F.P沟道耗尽型MOS管


    参考答案：AB

  • 第15题：

    结型场效应管可分为（）。

    • A、MOS管和MNS管
    • B、N沟道和P沟道
    • C、增强型和耗尽型
    • D、NPN型和PNP型

    正确答案:B

  • 第16题：

    对于绝缘栅场效应管，无论增强型还是耗尽型，只要是N沟道器件，UDS应为负值，衬底接最低电位，UGS越向正值方向增大，硒越小


    正确答案:错误

  • 第17题：

    结型场效应管的类型有（）。

    • A、N沟道结型场效应管
    • B、P沟道结型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第18题：

    UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。

    • A、N沟道结型管
    • B、增强型MOS管
    • C、耗尽型MOS管
    • D、P沟道结型管

    正确答案:B

  • 第19题：

    MOS场效应管按栅极开路时有无导电沟道分为增强型和（）两种类型。


    正确答案:耗尽型

  • 第20题：

    若耗尽型N沟道MOS管的ugs大于零，则其输入电阻会明显变小。


    正确答案:错误

  • 第21题：

    下列场效应管中，无原始导电沟道的为（）。

    • A、N沟道JFET
    • B、增强~AIPMOS管
    • C、耗尽型NMOS管
    • D、耗尽型PMOS管

    正确答案:B

  • 第22题：

    单选题
    绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）
    A

    P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管

    B

    增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管

    C

    N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管

    D

    N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    结型场效应管可分为（）。
    A

    MOS管和MNS管

    B

    N沟道和P沟道

    C

    增强型和耗尽型

    D

    NPN型和PNP型


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    多选题
    按导电沟道不同，电力MOSFET可分为哪两项？（）
    A

    耗尽型

    B

    增强型

    C

    P沟道

    D

    N沟道


    正确答案： B,C
    解析： 暂无解析

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