P-MOSFET就是指P沟道的功率场效应管。

第1题：

第2题：

第3题：

由两个N区夹着一个P区，漏极电流是由P区中空穴形成的这种结构的管子，我们称其为N型沟道场效应管。

正确答案:错误

第4题：

结型场效应管的类型有（）。

• A、N沟道结型场效应管
• B、P沟道结型场效应管
• C、N沟道增强型MOS管
• D、P沟道增强型MOS管
• E、N沟道耗尽型MOS管
• F、P沟道耗尽型MOS管

正确答案:A,B

第5题：

TTL集成门电路是指（）。

• A、二极管---三极管集成门电路
• B、晶体管---晶体管集成门电路
• C、N沟道场效应管集成门电路
• D、P沟道场效应管集成门电路

正确答案:B

第6题：

（）具有不同的低频小信号电路模型。

• A、NPN型管和PNP型管
• B、增强型场效应管和耗尽型场效应管
• C、N沟道场效应管和P沟道场效应管
• D、晶体管和场效应管

正确答案:D

第7题：

P-MOSFET的保护主要有工作保护和（）。

正确答案:静电保护

第8题：

当u_GS=0时，漏源间存在导电沟道的称为（）型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为（）型场效应管。

正确答案:耗尽；增强

第9题：

使结型场效应管I_D=0的临界栅源电压称为（夹断）电压，N沟道JFET的U_GS（off）（）0，P沟道JFET的U_GS（off）（）0。

正确答案:＜；＞

第10题：

场效应管按结构分为（）和（），按沟道分为（）和（）。

正确答案:结型场效应管；金属氯化物半导体场效管（绝缘栅型）；N沟道；PN沟道

第11题：

下列场效应管中，无原始导电沟道的为（）。

• A、N沟道JFET
• B、增强~AIPMOS管
• C、耗尽型NMOS管
• D、耗尽型PMOS管

正确答案:B

第12题：

功率场效应管的文字符号是（）

• A、GTO
• B、GTR
• C、P-MOSFET
• D、IGBT

正确答案:C

第13题：

第14题：

结型场效应管可分为（）。

• A、MOS管和MNS管
• B、N沟道和P沟道
• C、增强型和耗尽型
• D、NPN型和PNP型

正确答案:B

第15题：

绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种

正确答案:正确

第16题：

场效应管的类型有（）。

• A、结型场效应管
• B、绝缘栅型场效应管
• C、N沟道增强型MOS管
• D、P沟道增强型MOS管
• E、N沟道耗尽型MOS管
• F、P沟道耗尽型MOS管

正确答案:A,B

第17题：

U_GS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。

• A、N沟道结型管
• B、增强型MOS管
• C、耗尽型MOS管
• D、P沟道结型管

正确答案:B

第18题：

结型场效应管的基本工作原理是（）

• A、改变导电沟道中的载流子浓度
• B、改变导电沟道中的横截面积
• C、改变导电沟道中的有效长度
• D、改变导电沟道中的体积

正确答案:B

第19题：

P-MOSFET的应用特点和选择方法是什么？

正确答案:P.MOSFET的栅极是绝缘的，属于电压控制器件，因而输入阻抗高，驱动功率小，电路简单。为了正确的控制P-MOSFET的开通和关断，对栅极驱动电路提出如下要求：
1、触发脉冲的前后沿要陡峭，触发脉冲的电压幅值要高于器件的开启电压，以保证P-MOSFET的可靠触发导通。
2、开通时以低电阻对栅极电容充电，关断时为栅极电容提供低电阻放电回路，减小栅极电容的充放电时间常数，提高P-MOSFET的开关速度。
3、P-MOSFET开关时所需的驱动电流为栅极电容的充放电流。P-MOSFET的极间电容越大，所需的驱动电流也越大。为了使开关波形具有足够的上升和下降陡度，驱动电流要具有较大的数值。

第20题：

衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。

正确答案:错误

第21题：

某场效应管的I_DSS为6mA，而I_DQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）

• A、P沟道耗尽型MOS管
• B、N沟道耗尽型MOS管
• C、P沟道增强型MOS管
• D、N沟道增强型MOS管

正确答案:B

第22题：

场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。

正确答案:结型；增强型

第23题：

更具结构不同，场效应管分为（）

• A、N沟道和P沟道场效应管
• B、NPN和PNP型场效应
• C、MOS管和MNS管
• D、结构和绝缘栅场效应管

正确答案:D

第24题：