A、完整性
B、应力情况
C、表面结构
D、残余压应力
第1题:
两极间接上射频电源后,两极间等离子体中的正离子轰击靶材、溅射出靶材原子从而沉积在基板表面成膜的技术是()
A.直流二级溅射
B.直接三级溅射
C.射频溅射
D.磁控溅射
第2题:
溅射是用离子轰击靶材,将靶材原子打出来,再沉积到基片上成膜的镀膜技术。
第3题:
6、利用高能氩离子轰击靶材,靶材原子被撞击,脱离出来,在硅片表面形成薄膜的工艺过程是
第4题:
直流溅射是利用直流辉光放电产生离子轰击靶材进行溅射镀膜的技术,靶材固定在()极。
A.阳
B.阴
C.空
第5题:
53、在采用多元氧化物靶材制备薄膜时,为了保证薄膜与靶材的成分一致,可以选择脉冲激光沉积方法。