9、常见的干法刻蚀方法主要包括： 。A．等离子体刻蚀B．离子铣C．反应离子刻蚀D．氧化刻蚀

题目

9、常见的干法刻蚀方法主要包括： 。

A．等离子体刻蚀

B．离子铣

C．反应离子刻蚀

D．氧化刻蚀

相似考题

1.● 常用的信息系统开发方法中，不包括 （9） 。（9）A．结构化方法B．关系方法C．原型法D．面向对象方法

2.干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？

3.根据原理分类，干法刻蚀分成几种？各有什么特点？

4.简述干法刻蚀的物理作用和化学作用。

参考答案和解析
等离子体刻蚀;离子铣;反应离子刻蚀
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  • 第1题：

    在干法刻蚀的终点检测方法中，光学放射频谱分析法最常见，简述其工作原理和优缺点。


    正确答案: 光学放射频谱分析是利用检测等离子体中某种波长的光线强度变化来达到终点检测的目的。光强的变化反映了等离子体中原子或分子浓度的变化，根据检测的不同物质会有刻蚀终点光强增加与减弱两种状态。对于不同的刻蚀薄膜与刻蚀剂，有对应的需要检测的波长。不影响刻蚀的进行，且可对微小变化作出反应。光强正比于刻蚀速率，因此对刻蚀速率较慢的反映难以检测。刻蚀面积过小时，信号强度不足也会导致检测困难，如SiO2接触窗的刻蚀。

  • 第2题：

    标准PAL制式视频（720*576）编辑中，常见的帧宽高比包括（）。

    • A、5：4
    • B、4：3
    • C、9：8
    • D、16：9

    正确答案:A,B,D

  • 第3题：

    常见的拒绝服务攻击方法包括（）、（）、（）、（）、（）、（）等。


    正确答案:广播风暴；SYN淹没；IP分段攻击；OoB攻击；分布式攻击；IIS上传攻击

  • 第4题：

    在职培训最常见的方法包括（）和（）。


    正确答案:职务轮换；预备实习

  • 第5题：

    问答题
    干法刻蚀有哪几种？相应的内容是什么？

    正确答案： 物理性刻蚀、化学性刻蚀和物理化学性刻蚀。
    1）物理性刻蚀-溅射刻蚀：等离子体中的离子或高能原子对衬底进行轰击，溅射出衬底原子，形成掩蔽膜图形。
    2）化学性刻蚀：腐蚀气体等离子化，活性物F.、CF。x与氮化硅、多晶硅等被刻蚀薄膜发生化学反应，生成物被真空泵排除。
    3）物理化学性刻蚀（RIE.：RIE是等离子化学性刻蚀和溅射物理性刻蚀现象同时作用的刻蚀，实际是离子辅助刻蚀。
    解析： 暂无解析

  • 第6题：

    问答题
    列出按材料分类的三种主要干法刻蚀。

    正确答案： 金属刻蚀、介质刻蚀、硅刻蚀
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    问答题
    什么是干法刻蚀？干法有几种刻蚀方法？

    正确答案： 用等离子体对薄膜线条进行刻蚀的一种新技术。
    分为等离子体刻蚀、反应离子刻蚀RIE、磁增强反应离子刻蚀、高密度等离子刻蚀等类型。
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    问答题
    简述湿法腐蚀相比干法刻蚀的优点

    正确答案： （1）对材料具有高的选择比
    （2）不会对器件带来等离子体损伤
    （3）设备简单
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    问答题
    干法刻蚀有高的还是低的选择比？

    正确答案： 干法刻蚀通常不能提供对下一层材料足够高的刻蚀选择比。
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    列举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点，干法刻蚀的不足之处是什么？

    正确答案： 优点：
    1.刻蚀剖面是各向异性，具有非常好的侧壁剖面控制
    2.好的CD控制。
    3.最小的光刻胶脱落或粘附问题
    4.好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性
    5.较低的化学制品使用和处理费用。
    缺点：对下层材料的差的刻蚀选择比、等离子体带来的器件损伤和昂贵的设备
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    列出在干法刻蚀中发生刻蚀反应的六种方法？

    正确答案： 1.对不需要刻蚀的材料的高选择比
    2.获得可接受的产能的刻蚀速率
    3.好的侧壁剖面控制
    4.好的片内均匀性
    5.低的器件损伤
    6.宽的工艺制造窗口
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    判断题
    干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。

    • A、ARC可以是硅的氮化物
    • B、可用干法刻蚀除去
    • C、ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成
    • D、ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层
    • E、ARC膜也可以通过CVD的方法形成

    正确答案:A,B,C,D,E

  • 第14题：

    常见的块状整地的方法包括（）、（）、（）、（）。


    正确答案:穴状；块状；鱼鳞坑；坑状

  • 第15题：

    岗位培训的主要内容不包括（）。

    • A、主要设备的工作原理
    • B、沟通的技巧
    • C、主要设备常见故障的排除方法
    • D、事故、事件调查原则

    正确答案:B,D

  • 第16题：

    冠心病的常见危险因素中的疾病因素包括：（）、（）、（）、（）、。冠心病常见危险因素中不良生活方法包括：（）、（）、（）、（）。


    正确答案:高血压；高胆固醇血症；糖尿病；肥胖症；吸烟；缺乏运动；高脂；高胆固醇饮食；过量饮酒

  • 第17题：

    判断题
    通常湿法刻蚀的刻蚀轮廓比干法刻蚀好。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 相反

  • 第18题：

    填空题
    干法刻蚀的终点检测有许多方法，通常采用的是（）终点检测方法。

    正确答案： 残余气体质谱分析、等离子室光发射谱分析和激光干涉
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    问答题
    为什么0.25微米以下工艺的干法刻蚀需要高密度等离子体？

    正确答案： 传统的RIE系统等离子体离化率最大0.1%，因而需要较多的气体以产生足够的粒子。较高的气压使得粒子碰撞频繁，反应粒子很难进入小尺寸高深宽比图形，反应产物也很难排出。高密度等离子体的离化率达到10%，用于0.25微米以下的工艺。
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    问答题
    为什么多晶硅的干法刻蚀要采用氯基气体而不是氟基气体？

    正确答案： 不用SF6等F基气体是因为Cl基气体刻蚀多晶硅对下层的栅氧化层有较高的选择比。
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    简述干法刻蚀的应用

    正确答案： 介质——氧化物和氮化硅
    硅——多晶硅栅和单晶硅槽
    金属——铝和钨
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    什么是干法刻蚀？

    正确答案： 主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基（处于激发态的分子、原子及各种原子基团等）与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    干法刻蚀适用于（） （粗/细）线条。

    正确答案： 细
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    问答题
    什么是干法刻蚀？什么是湿法刻蚀？比较二者的优缺点。

    正确答案： 1）干法腐蚀是应用等离子技术的腐蚀方法，刻蚀气体在反应器中等离子化，与被刻蚀材料反应（或溅射），生成物是气态物质，从反应器中被抽出。湿法刻蚀是化学腐蚀，晶片放在腐蚀液中（或喷淋），通过化学反应去除窗口薄膜，得到晶片表面的薄膜图形。
    2）干法刻蚀与湿法刻蚀比较，优点：
    ○1保真度好，图形分辨率高；
    ○2湿法腐蚀难的薄膜如氮化硅等可以进行干法刻蚀。
    ○3清洁性好，气态生成物被抽出；无湿法腐蚀的大量酸碱废液。
    缺点：
    ○1设备复杂
    ○2选择比不如湿法
    解析： 暂无解析

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