硅二极管的死区电压约为 。A．0.1VB．0.2VC．0.3VD．0.5V

题目

硅二极管的死区电压约为 。

A．0.1V

B．0.2V

C．0.3V

D．0.5V

相似考题

1.硅二极管的死区电压约为()伏。A、0.1B、0.7C、0.2D、0.5

2.硅二极管死区电压为0.5V,导通电压为0.7V。()此题为判断题(对，错)。

3.硅材料二极管的死区电压为()V。A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7

4.硅二极管的死区电压一般为0.2V。此题为判断题(对，错)。

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  • 第1题：

    一般来说,硅二极管的死去电压小于锗二极管的死区电压。 ()

    此题为判断题(对，错)。


    参考答案错误

  • 第2题：

    硅二极管和锗二极管的死区电压分别是()伏。

    A. 0.2，0.7

    B. 0.5，0.2

    C. 0.7， 1.0


    参考答案:B 

  • 第3题：

    硅二极管的死区约为（）V左右。

    • A、0.2
    • B、零
    • C、0.5
    • D、2

    正确答案:C

  • 第4题：

    硅二极管的死区电压和锗二极管死区电压相等。


    正确答案:正确

  • 第5题：

    二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？


    正确答案: 当正向超过某值Us时，正向电流才迅速增大，这个Us值就称为死区电压。出现死区电压的原因是由于PI/I结形成后，空间电荷区的内电场阻止多数载沈子扩散，当外加正向电压很低时，不能克服内电场的阻碍作用，这样使得正向扩散电流很小，通过=极管的电流较小（近似为o），硅管和锗管的死区电压分别均为0.5v和0.1V。

  • 第6题：

    硅二极管的死区电压一般为0.2V。


    正确答案:错误

  • 第7题：

    二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？


    正确答案:当外加正向电压很低时，正向电流很小，几乎为零。当正向电压超过一定数值后，电流增大很快。这个一定数值的正向电压称为死区电压。通常，硅管的死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为0.5V。

  • 第8题：

    什么是二极管的死区电压？它是如何产生的？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？


    正确答案:当加在二极管上的正向电压小于某一数值时，二极管电流非常小，只有当正向电压大于该数值后，电流随所加电压的增大而迅速增大，该电压称为二极管的死区电压，它是由二极管中PN的内电场引起的。硅管和锗管的死区电压的典型值分别是0.7V和0.3V。

  • 第9题：

    硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。


    正确答案:0.5；0.1

  • 第10题：

    二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。


    正确答案:单；0.1；0.5

  • 第11题：

    硅材料二极管的死区电压为0.3V。


    正确答案:正确

  • 第12题：

    填空题
    硅管的死区电压（）伏，锗管的死区电压约为（）伏。

    正确答案： 0.5,0.2
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。()

    此题为判断题(对，错)。


    参考答案：错

  • 第14题：

    小电流硅二极管的死区电压约为（），正向压约为0.7V。

    • A、0.4V
    • B、0.5V
    • C、0.6V
    • D、0.7V

    正确答案:B

  • 第15题：

    硅半导体二极管的死区电压约为（）。

    • A、0.2V
    • B、1.2V
    • C、0.5V
    • D、1.5V

    正确答案:C

  • 第16题：

    硅二极管的正向电压约为0.2V。（）


    正确答案:错误

  • 第17题：

    硅二极管的死区电压约为（）。

    • A、0.2
    • B、0.3
    • C、0.5
    • D、0.7

    正确答案:D

  • 第18题：

    硅管的死区电压约为（）。

    • A、0.8V
    • B、0.9V
    • C、0.7V
    • D、0.6V

    正确答案:C

  • 第19题：

    硅管的死区电压约为（）V，锗管的死区电压约为（）V。


    正确答案:0.5；0.1

  • 第20题：

    晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。


    正确答案:0.6～0.7；0.2～0.3；0.5；0.1

  • 第21题：

    硅二极管的导通电压值约为（），锗二极管的导通电压约为（）。


    正确答案:0.6V；0.2V

  • 第22题：

    硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（）

    • A、0.6V；0.6V
    • B、0.6V；0.1V
    • C、0.1V；0.6V
    • D、0.1V；0.1V

    正确答案:B

  • 第23题：

    硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少？


    正确答案: 硅二极管的死区电压值约为0.5V。锗二极管的死区电压约为0.2V。

  • 第24题：

    问答题
    二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？

    正确答案： 当正向超过某值Us时，正向电流才迅速增大，这个Us值就称为死区电压。出现死区电压的原因是由于PI/I结形成后，空间电荷区的内电场阻止多数载沈子扩散，当外加正向电压很低时，不能克服内电场的阻碍作用，这样使得正向扩散电流很小，通过=极管的电流较小（近似为o），硅管和锗管的死区电压分别均为0.5v和0.1V。
    解析： 暂无解析

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