晶体管在放大状态时，其电压偏置条件为（）。A．集电结正向偏置、发射结正向偏置B．集电结正向偏置、发射结反向偏置C．集电结反向偏置、发射结反向偏置D．发射结正向偏置

题目

晶体管在放大状态时，其电压偏置条件为（）。

A．集电结正向偏置、发射结正向偏置

B．集电结正向偏置、发射结反向偏置

C．集电结反向偏置、发射结反向偏置

D．发射结正向偏置

相似考题

1.硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()和()。

2.晶体管工作在放大状态的条件是( )。A.发射结反向偏置，集电结反向偏置B.发射结反向偏置，集电结正向偏置C.发射结正向偏置，集电结反向偏置D.发射结正向偏置，集电结正向偏置

3.晶体管工作在放大区时,集电结处于()。A、正向偏置B、反向偏置C、正偏或反偏D、不能确定

4.晶体管工作在放大区时,发射结处于()。A、正向偏置B、反向偏置C、正偏或反偏D、不能确定

参考答案和解析
D
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  • 第1题：

    晶体管处于饱和状态时的条件是发射结( )偏置,集电结( )偏置.

    A、正向，反向

    B、正向，正向

    C、反向，反向

    D、反向，正向


    正确答案:B

  • 第2题：

    晶体管处于放大状态的条件为()。

    A.发射结正向偏置，集电结正向偏置

    B.发射结正向偏置，集电结反向偏置

    C.发射结反向偏置，集电结正向偏置

    D.发射结反向偏置，集电结反向偏置


    正确答案:B

  • 第3题：

    使晶体管处于放大状态的偏置状况是:()结正偏,()结反偏。


    参考答案：发射 集电

  • 第4题：

    NPN型晶体管工作在放大状态时，其发射极电压与发射极电流的关系为（　　）。



    答案：C
    解析：
    当NPN型晶体管工作在放大状态时，基极与发射极为正向偏置的PN结。由PN结二极管理想状态特性方程：



    易知C项正确。

  • 第5题：

    当晶体管处于放大状态时，其特征是：发射结处于（）偏置，集电结处于反向偏置。

    • A、正向
    • B、反向
    • C、左向
    • D、右向

    正确答案:A

  • 第6题：

    晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管（）。

    • A、发射结为反向偏置
    • B、集电结为正向偏置
    • C、始终工作在放大区

    正确答案:C

  • 第7题：

    发射结处于正向偏置的晶体管，其一定是工作于放大状态。（）


    正确答案:错误

  • 第8题：

    晶体管的集电结反向偏置、发射结正向偏置，它的工作状态是（）

    • A、截止
    • B、放大
    • C、饱和
    • D、损毁

    正确答案:B

  • 第9题：

    双极型晶体管（BJT）放大偏置时，应在其发射结加（）电压，在集电结加（）电压。


    正确答案:正向；反向

  • 第10题：

    三极管工作在放大状态时，发射结应（）偏置，集电结应（）偏置。若工作在饱和状态时，发射结应（）偏置，集电结应（）偏置。若工作在截止状态时，发射结应（）偏置，集电结应（）偏置。


    正确答案:正；反；正；正；反；反

  • 第11题：

    单选题
    三极管工作在截止状态时其条件是（）。
    A

    发射结正向偏置，集电结反向偏置

    B

    发射结电压小于其死区电压

    C

    发射结集电结都正向偏置

    D

    集电结电压大于其死区电压


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    在正常使用条件下，晶体管的发射结加正向小电压，称为（）偏置，集电结加反向大电压，称为反向偏置。

    正确答案： 正向
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    晶体管工作在放大状态时,必须满足外加电压发射结(),集电结()。


    答案：正偏、反偏

  • 第14题：

    共发射极电路的放大区描述正确的?_________

    A.发射结处于正向偏置

    B.集电结处于反向偏置

    C.晶体管工作于放大状态也称为线性区

    D.放大区具有电流放大作用


    正确答案:ABCD

  • 第15题：

    晶体管具有电流放大作用的外部条件是:()结正向偏置;()结反向偏置。


    参考答案：发射 集电

  • 第16题：

    三极管作电流放大时，在发射结上加正向偏置电压，在集电结上加反向偏置电压。


    正确答案:正确

  • 第17题：

    普通晶体管用作放大时，输入端发射结保持为（）。

    • A、反向偏置
    • B、正向偏置
    • C、正向、反向偏置均可

    正确答案:B

  • 第18题：

    硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压UBE分别为（）V和（）V。


    正确答案:0.7；0.3

  • 第19题：

    处于放大工作状态的晶体管，要设置合适的（）

    • A、偏置电路
    • B、整流电路
    • C、逆变电路
    • D、放大电路

    正确答案:A

  • 第20题：

    双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结（）、集电结（）。


    正确答案:正偏；反偏

  • 第21题：

    双极型晶体管工作在放大区偏置条件是（）增强型N沟道的场效应管工作在放大区的偏置条件是（）。


    正确答案:发射结正偏；集电结反偏，VDS＞VGS=VGS（th），V＞VGS（th）

  • 第22题：

    晶体管在放大状态时，集电极为反向偏置，而发射结正向偏置。


    正确答案:正确

  • 第23题：

    单选题
    晶体管工作在放大区的条件是（）。
    A

    发射结正向偏置，集电结反向偏置

    B

    发射结反向偏置，集电结正向偏置

    C

    发射结正向偏置，集电结正向偏置

    D

    发射结反向偏置，集电结反向偏置


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    单选题
    无论是PNP型还是NPN型三极管，工作在放大状态时其条件是（）
    A

    发射结正向偏置，集电结反向偏置

    B

    发射结反向偏置，集电结正向偏置

    C

    发射结正向偏置，集电结正向偏置

    D

    发射结反向偏置，集电结反向偏置


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

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