第1题:
抑制性突触后电位产生的离子机制主要是
A.Na+内流
B.K+外流
C.Ca2+内流
D.Cl-内流
E.Na+内流和K+外流
第2题:
可产生抑制性突触后电位的离子基础是
A.K+
B.Na+
C.Ca2+
D.Cl—
E.Mg2+
第3题:
第4题:
第5题:
第6题:
玻璃电极膜电位产生的机制是由于玻璃膜表面的()
第7题:
抑制性突触后电位产生的离子机制是()
第8题:
产生突触前抑制的机制是()
第9题:
电子传导
电子得失
不对称电位
离子交换和离子迁移
第10题:
Na+内流
K+内流
Ca2+内流
Cl-内流
K+外流
第11题:
Na+内流
K+内流
Ca2+内流
Clˉ内流
K+外流
第12题:
K+
H+
Ca2+
Cl-
Na+
第13题:
产生抑制性突触后电位的主要离子基础是( )。
第14题:
第15题:
第16题:
第17题:
神经细胞静息电位形成的机制是()。
第18题:
周期性瘫痪的发病机制是()
第19题:
叙述动作电位产生的离子机制。
第20题:
第21题:
Na+内流
K+内流
Ca2+内流
Cl-内流
K+外流
第22题:
第23题:
抑制钙离子经受体操纵性钙通道跨膜内流
抑制钙离子经电位操纵性钙通道跨膜内流
抑制细胞膜Na+-Ca2+交换
抑制细胞内钙离子释放
促钾离子外流
第24题: