产生抑制性突触后电位的主要离子基础是A．K+B．Na+C．Ca2+D．Cl-E．Mg2+
题目
产生抑制性突触后电位的主要离子基础是
A．K+
B．Na+
C．Ca2+
D．Cl-
E．Mg2+
相似考题
参考答案和解析
正确答案：D
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第1题：
产生抑制性突触后电位的主要离子流是（ ）
正确答案：D
考查考生对突触传递原理的理解。
在突触传递过程中，当突触前神经元有冲动传到末梢时，突触前膜去极化，去极化达一定水平时，末梢膜上电压门控钙通道开放，细胞外Ca2+进入末梢轴浆内，由此触发突触囊泡的出胞，以量子式释放的形式，将囊泡内的递质倾囊释出，这一过程称为兴奋一分泌耦联，而其他离子流对轴突末梢释放神经递质均无关，故第3题的正确答案是C。K+外流、Na+内流和Cl-内流均与突触传递引起突触后电位的产生有关，而H+外流则与此无关；Na+内流可使突触膜去极化，引起兴奋性突触后电位；K+外流和Cl-内流均可使突触后膜超极化，引起抑制性突触后电位，但通常以Cl-内流为主。故第4题的正确答案是D。 -
第2题：
可产生抑制性突触后电位的离子基础是
A.K+
B.H+
C.CA2+
D.CL-
E.NA+
正确答案：D
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第3题：
可产生抑制性突触后电位的离子基础是A. K+
B. Na+
C. Ca2+
D. Cl-答案：D解析： -
第4题：
可产生抑制性突触后电位的离子基础是
A.K+
B.Na+
C.Ca 2+
D. Cl-
E.H+
正确答案：D
Ca2+是能促使轴突末梢释放神经递质的离子。当突触前神经元兴奋产生动作电位并传导至轴突末梢时，突触前膜的去极化使末梢膜上电压门控钙通道开放，Ca2+顺着浓度差进入突触小体。小体内Ca2+浓度的升高一方面降低轴浆的黏度，有利于突触小泡向突触前膜移动；另一方面可以消除突触前膜上的负电荷，有利于突触小泡与前膜的接触、融合和破裂，最终使神经递质呈量子式释放到突触间隙。Cl-是产生抑制性突触后电位的离子基础。突触前神经元轴突末梢释放抑制性递质一与突触后膜上相应的受体结合后→提高突触后膜对Cl-、K+等离子的通透性（尤其是Cl-）→Cl-内流（为主）、K+外流一突触后膜超极化，产生抑制性突触后电位(IPSP)。细胞在静息时，质膜（细胞膜）两侧存在的内负外正的电位差称为静息电位。细胞在静息状态下，细胞膜对K+的通透性最高一细胞内K+外流，当促使K+外流的浓度差和阻止K+外移的电位差这两种力量达到平衡时，膜对K+的净通量为零，于是不再有K+的跨膜净移动，此时膜两侧的电位差也就稳定于某一数值不变。所以，静息电位主要是K+外流产生，为K+的平衡电位。 -
第5题：
A.K
B.Na
C.Ca
D.Cl
E.H
可产生抑制性突触后电位的离子基础是答案：D解析：
冲动传到突触前末梢，触发前膜中的Ca
通道开放，一定量的Ca
顺浓度差流入突触内，在Ca
的作用下一定数量的突触泡将递质外排到突触间隙，此过程称胞吐。被释放的递质扩散到突触间隙，到达突触后膜，与位于后膜中的受体结合，故1题选C。抑制性突触后电位因为Cl
通透性的增大导致突触后膜超极化而引起短路效应，使兴奋性突触后电位的去极化减少，而抑制了动作电位的发生。故2题选D。