A.ElectrostaticDischargE静电
B.ElectrostaticDischargE静电放电
C.ElectroStatiC静电放电
D.ElectroStatiC静电
第1题:
孔的上偏差是( )。
A.ES
B.EI
C.es
D.ei
第2题:
晶闸管整流器ESD保护结构中,PNPN结构内有NPN和PNP之间的负反馈,提供了良好ESD泄流通路,具有明显的ESD保护性能
第3题:
4、全芯片ESD保护结构和其他几种保护相比,ESD保护能力较弱,但是面积较小。
第4题:
第5题:
场管的ESD能力跟其漏端面积有主要的关系,漏端面积越大其ESD能力越小