A.5V
B.20V
C.1.5V~3V
1.合金散射是砷化镓晶体中所特有的散射机制。
2.磁阻效应实验中,被测量的磁阻元件是A.锑化铟B.砷化镓C.硅D.砷化铟
3.在非简并下,硅作为两性杂质掺入砷化镓样品中,其中20%硅原子取代砷,80%硅原子取代镓,若杂质完全电离,忽略本征激发,则半导体为n型半导体。
4.室温时,下列半导体禁带宽度的大小顺序排列正确的是?A.砷化镓>硅>锗B.砷化镓>锗>硅C.锗>砷化镓>硅D.硅>锗>砷化镓
第1题:
砷化镓的制备技术中,MBE指分子束外延技术。
第2题:
11、相比于硅半导体,相同温度下,砷化镓本征载流子浓度较低,对器件性能的影响较小,因此砷化镓也常被称为高温半导体。
第3题:
砷化镓的禁带宽度比较大,制造的器件工作温度高。()
第4题:
砷化镓是()(填“直接”或“间接”)带隙半导体。
第5题:
半导体砷化镓属于化合物半导体,与硅和锗不同的是,砷化镓为直接带隙半导体。