合金散射是砷化镓晶体中所特有的散射机制。

题目

合金散射是砷化镓晶体中所特有的散射机制。

相似考题

1.射线在检验物体时的散射可分为哪几种?()A、空间散射、物体表面散射、地面散射B、物体表面散射、物体中间散射、物体的1/4层处散射C、前面散射、背底散射、边缘散射D、空间散射、物体散射、底片本身散射

2.薄膜太阳能电池的半导体薄膜不能是（）。 A、多晶体B、非晶体C、砷化镓D、单晶体

3.发光二极管一般是由半导体材料砷化镓（GaAs）制成。

4.散射线含有率的正确定义是A．作用在胶片上的X线量B．作用在胶片上的散射线量C．原发射线与散射线之比D．原发射线中含有散射线的量E．散射线在作用于胶片上的全部射线量中所占比率

参考答案和解析
电离杂质散射 或者 电离杂质
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  • 第1题：

    镓砷磷是砷化镓和磷化镓的固溶体，是一种（）材料。


    正确答案:发光

  • 第2题：

    砷化镓相对于硅的优点是什么？


    正确答案:砷化镓具有比硅更高的电子迁移率，因此多数载流子也移动得比硅中的更快。砷化镓也有减小寄生电容和信号损耗的特性。这些特性使得集成电路的速度比由硅制成的电路更快。GaAs器件增进的信号速度允许它们在通信系统中响应高频微波信号并精确地把它们转换成电信号。硅基半导体速度太慢以至于不能响应微波频率。砷化镓的材料电阻率更大，这使得砷化镓衬底上制造的半导体器件之间很容易实现隔离，不会产生电学性能的损失。

  • 第3题：

    产生背向散射光的主要原因是（）

    • A、波导散射
    • B、布里渊散射
    • C、瑞利散射

    正确答案:C

  • 第4题：

    霍尔元件是根据霍尔效应原理制成的磁电转换元件，常用（）及锑化铟等半导体材料制成。

    • A、锗
    • B、硅
    • C、砷化镓
    • D、砷化铟

    正确答案:A,B,C,D

  • 第5题：

    在理想晶体中，只有（）能散射电子。

    • A、杂质
    • B、声子
    • C、电子
    • D、缺陷

    正确答案:B

  • 第6题：

    （）是最常用的一种半导体材料。

    • A、砷化镓
    • B、硅
    • C、磷
    • D、锢

    正确答案:B

  • 第7题：

    .LED的制成原料包含（）。

    • A、锗化钾
    • B、砷化镓
    • C、磷化镓
    • D、氰化钾

    正确答案:B,C

  • 第8题：

    填空题
    晶体中热阻的主要来源是（）间碰撞引起的散射。

    正确答案： 声子
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    多选题
    .LED的制成原料包含（）。
    A

    锗化钾

    B

    砷化镓

    C

    磷化镓

    D

    氰化钾


    正确答案： D,C
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    砷化镓相对于硅的主要缺点是什么？

    正确答案： 主要缺点：缺乏天然氧化物；材料的脆性；成本比硅高10倍；有剧毒性在设备，工艺和废物清除设施中特别控制。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    填空题
    散射线在作用于（）上的（）中所占比率，称为散射线含有率。影响散射线含有率的因素主要包括（）、（）及照射野等。

    正确答案： 胶片,全部射线量,管电压,被检体厚度
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    射线在检验物体时的散射可分为哪几种？（）
    A

    空间散射、物体表面散射、地面散射

    B

    物体表面散射、物体中间散射、物体的1/4层处散射

    C

    前面散射、背底散射、边缘散射

    D

    空间散射、物体散射、底片本身散射


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    FET的主要材料是（）。

    • A、钢
    • B、硅
    • C、砷化镓
    • D、铝合金

    正确答案:C

  • 第14题：

    下列材料属于N型半导体是（）。

    • A、硅中掺有元素杂质磷（P）、砷（As）
    • B、硅中掺有元素杂质硼B.、铝（Al）
    • C、砷化镓掺有元素杂质硅（Si）、碲（TE）
    • D、砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁

    正确答案:A,C

  • 第15题：

    构成TMR的散射线剂量的是（）

    • A、模体的散射
    • B、一级准直器散射
    • C、二级准直器散射
    • D、侧向散射
    • E、反向散射

    正确答案:A

  • 第16题：

    由被检工件引起的散射线是（）

    • A、背散射
    • B、侧面散射
    • C、正向散射
    • D、全都是

    正确答案:C

  • 第17题：

    散射线在作用于（）上的（）中所占比率，称为散射线含有率。影响散射线含有率的因素主要包括（）、（）及照射野等。


    正确答案:胶片；全部射线量；管电压；被检体厚度

  • 第18题：

    砷化锌，砷化镓


    正确答案:2853009022

  • 第19题：

    在理想晶体中，只有声子能散射电子。


    正确答案:正确

  • 第20题：

    单选题
    薄膜太阳能电池的半导体薄膜不能是（）。
    A

    多晶体

    B

    非晶体

    C

    砷化镓

    D

    单晶体


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    简述砷化镓单晶的主要制备方法。

    正确答案： 一种是在石英管密封系统中装有砷源，通过调节砷源温度来控制系统中的砷压。这种方法包括水平舟区熔法、定向结晶法、温度梯度法、磁拉法和浮区熔炼法等。另一种是将熔体用某种液体覆盖，并在压力大于砷化镓离解压的气氛中合成拉晶，称为液体封闭直拉法。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    砷化镓相对于硅的优点是什么？

    正确答案： 砷化镓具有比硅更高的电子迁移率，因此多数载流子也移动得比硅中的更快。砷化镓也有减小寄生电容和信号损耗的特性。这些特性使得集成电路的速度比由硅制成的电路更快。GaAs器件增进的信号速度允许它们在通信系统中响应高频微波信号并精确地把它们转换成电信号。硅基半导体速度太慢以至于不能响应微波频率。砷化镓的材料电阻率更大，这使得砷化镓衬底上制造的半导体器件之间很容易实现隔离，不会产生电学性能的损失。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    （）是最常用的一种半导体材料。
    A

    砷化镓

    B

    硅

    C

    磷

    D

    锢


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    填空题
    半导体材料中锗和硅属于（）结构，砷化镓属于（）结构。

    正确答案： 金刚石,闪锌矿
    解析： 暂无解析

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