电容的单位为()。A.F(法拉)B.Ω(欧姆)C.C(库仑)

题目
电容的单位为()。

A.F(法拉)

B.Ω(欧姆)

C.C(库仑)

相似考题

1.电容的基本单位为()。A、安培B、库仑C、伏特D、法拉

2.5、只考虑栅极电容时，若设最小晶体管电容为基本单位，则有A．最小反相器的输入电容为2B．最小NOR2的输入电容为4C．最小NAND的输入电容为3D．标准门的输入电容为6

3.只考虑栅极电容时，若设最小晶体管电容为基本单位，则有A．最小反相器的输入电容为2B．最小NOR2的输入电容为4C．最小NAND的输入电容为3D．标准门的输入电容为6

4.电容的单位为欧姆。()此题为判断题(对，错)。

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  • 第1题：

    在零偏压下，这种电容能提供较大的单位面积电容（典型值为 0.8fF/um2）,但这种电容 会随着反偏电压的增大而逐渐____。


    B

  • 第2题：

    写出电容器的电容值（用pF、nF或μF单位表示） 电容值 电容值 104 103 222 473 0.01 .1 154 339 226 470


    最大值

  • 第3题：

    27、总的MOS电容C为氧化层单位面积电容Cox与半导体表面空间电荷区的微分电容Cs串联组成。（）


    正确

  • 第4题：

    电感L的单位为 ，电容C的单位为 。

    A．法拉，亨利

    B．亨利，法拉

    C．欧姆，亨利

    D．亨利，特斯拉


    sL、1/sC

  • 第5题：

    圆柱形电容器是由半径为R1的导线和与它同轴的导体圆筒构成，圆筒半径为R2，长为L。设导线沿轴线单位长度上的电荷为Q，圆筒上单位长度上的电荷为-Q，忽略边缘效应（即看成是无限长的圆柱筒）。求电容器的电容。


    (1)设电荷线密度为λ，作半径为r(R 1 ＜r＜R 2 )的同轴圆柱形高斯面，应用介质中的高斯定理得2πrlD=lλ 已知条件是V而不是λ，但与λ之间有关系。设V是内极板与外极板电势之差，即当V＞0时，内极板电势高， 将E的表达式与V的表达式进行比较，消去λ， 写成矢量式(r 0 为沿半径向外的单位矢量) 当V＞0时，E的方向背离轴线；当V＜0时，层的方向指向轴线。 (2)极化电荷面密度σ=P·n 极化强度 矢量式 在R 1 的界面处，n与r 0 反向， 在R 2 的界面处，n与r 0 同向，由于圆柱形电容器上的电荷分布具有轴对称性，所以可应用高斯定理求解。 但应注意题目所给的已知条件是两极板间的电势差，而不是极板所给电量，所以电场强度的表达式不能表示。由题目的计算可知，在V＞0时，电介质内表面的极化电荷为负，外表面的极化电荷为正。在任一段上，两表面极化电荷的代数和为零。这是因为电解质原是电中性的。

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