IPSP的产生机制主要与下列哪种离子通道的通透性增高有关?A．Na+B．K+C．C1-D．Ca2+

题目

IPSP的产生机制主要与下列哪种离子通道的通透性增高有关?

A．Na+

B．K+

C．C1-

D．Ca2+

相似考题

1.IPSP的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加A.Na+B.Ca2+C.K+、Cl-，尤其是Cl-D.Na-、K+、Cl-，尤其是Na+E.Na+、K+、Cl-，尤其是K+

2.下列关于IPSP产生过程的叙述，哪一项是错误的？A. 突触前膜超极化 B. Ca2+经突触前膜进入突触小体 C. 突触前膜释放抑制性递质 D. 突触后膜对Cl-通透性增强 E. Cl-内流产生IPSP

3.IPSP的产生主要由于突触后膜对下列哪种离子通透性增高所致A.Mg B.Ca C.Clˉ D.Na E.K

4.下列哪种机制不是细菌耐药性产生机制()A. 钝化酶的产生B. 药物作用的靶位发生改变C. 抗菌药物的使用D. 胞壁通透性的改变E. 主动外排机制

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  • 第1题：

    抑制性突触后电位（IPSP）的产生是后膜对哪种离子通透性增加

    A．Na+

    B．K+

    C．Ca2+

    D．Cl-


    Cl-

  • 第2题：

    IPSP的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加 。

    A．Na+

    B．Ca2+

    C．K+和Cl-，尤其是Cl-

    D．Na+ ．K+和Cl-，尤其是K+


    C

  • 第3题：

    IPSP的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加

    A．Na+

    B．Ca2+

    C．K+和Cl-，尤其是Cl-

    D．K+和Cl-，尤其是K+


    C

  • 第4题：

    IPSP的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加？

    A．Na+

    B．Ca2+

    C．K+和Cl-，尤其是Cl-

    D．K+和Cl-，尤其是K+


    C

  • 第5题：

    IPSP的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加

    A．Na+ B.

    B．Ca2+

    C．K+和Cl-，尤其是Cl-

    D．K+和Cl-，尤其是K+


    C

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