PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是A．非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜B．贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜C．巴非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜D．非贵金属预氧化烧结的温度与OP层烧结的温度相同E．理想的氧化膜厚度为0.2～2μm

题目

PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是

A．非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜

B．贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜

C．巴非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜

D．非贵金属预氧化烧结的温度与OP层烧结的温度相同

E．理想的氧化膜厚度为0.2～2μm

相似考题

1.50～100μm的氧化铝主要用于A、贵金属基底冠的粗化B、半贵金属基底冠的粗化C、非贵金属基底冠的粗化D、去除铸件表面的包埋料E、去除铸件表面在铸造过程中形成的氧化膜

2.下列贵金属烤瓷冠的特点中正确的是（ ）A.贵金属易被氧化分解 B.化学性能较活泼，不稳定 C.非贵金属烤瓷强度高，与瓷粉结合力较贵金属强 D.内冠表面的氧化膜较非贵金属薄而致密 E.非贵金属烤瓷会发生龈染色而贵金属烤瓷不会

3.金瓷结合界面处理恰当与否关系到金瓷结合强度，因此严格进行正确的处理才能保证PFM冠的质量PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是（）。A、非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜B、贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜C、非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜D、非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同E、理想的氧化膜厚度为0.2～2μm

4.金瓷结合界面处理恰当与否关系到金瓷结合强度，因此严格进行正确的处理才能保证PFM冠的质量PFM基底冠的打磨处理中错误的是A、用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物B、用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物C、打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合．部要求的外形D、禁止使用橡皮轮磨光E、用50～100μm的氧化铝喷砂PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是A、非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜B、贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜C、非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜D、非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同E、理想的氧化膜厚度为0．2～2μm

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  • 第1题：

    下列有关烤瓷金属内冠除气的说法，正确的是（）

    • A、除气即是用在炉内加热的方法排除合金中残留的气体，并形成氧化膜
    • B、贵金属需在半真空下加热10～15分钟即可
    • C、非贵金属需在半真空下加热5分钟即可
    • D、理想的氧层厚度是0.2～2μm
    • E、氧化层厚度与金属-烤瓷结合强度成正变关系

    正确答案:A,C,D

  • 第2题：

    单选题
    50～100μ；m的氧化铝主要用于（）
    A

    贵金属基底冠的粗化

    B

    半贵金属基底冠的粗化

    C

    非贵金属基底冠的粗化

    D

    去除铸件表面的包埋料

    E

    去除铸件表面在铸造过程中形成的氧化膜


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第3题：

    单选题
    非贵金属烤瓷桥修复，金属基底预氧化应在除气的基础上再加热至预定终点温度，在非真空状态下继续维持的时间为（　　）。
    A

    1min

    B

    2min

    C

    3min

    D

    4min

    E

    5min


    正确答案： E
    解析： 暂无解析

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