A、解耦电路
B、阻尼电路
C、解调电路
第1题:
当单结晶体管的发射极电压高于 电压时就导通;低于 电压时就截止。
第2题:
31、功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为()
A.一次击穿
B.二次击穿
C.临界饱和
D.反向截止
第3题:
采用高频振荡器,产生高频电压击穿钨极与工件之间的气隙,是引燃电弧常用的方法。
第4题:
N沟道增强型场效晶体管,当栅源电压UGS >UGS(th)(开启电压)时,场效晶体管导通,产生漏极电流ID,随栅源电压UGS的变化ID随之变化。
第5题:
当晶体管工作在截止区时,发射结电压反偏,集电结电压反偏。()