为了制成单晶及更纯的硅,通常可以采用丘克拉斯基凝固工艺(CZ法)。A．错误B．正确

题目
为了制成单晶及更纯的硅,通常可以采用丘克拉斯基凝固工艺(CZ法)。

A．错误

B．正确

相似考题

1.硅提纯及制备工艺流程正确的是()。A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅

2.目前比较成熟且广泛应用的是晶硅类电池。多晶硅比单晶硅转换效率（），但价格更（）。A、低，便宜B、低，贵C、高，便宜D、高，贵

3.采用单晶硅的压阻式压力变送器采用单晶硅片为弹性元件，在单晶硅膜片上利用集成电路的工艺，在单晶硅的特定方向扩散一组（）电阻，并将电阻接成桥路。A、不等值B、等值C、线性值D、非线性值

4.为了得到更纯的细胞组分,通常采用的分离技术是()。A、密度梯度离心B、差速离心C、细胞淘洗技术D、流式细胞术

参考答案和解析
参考答案：B
更多“为了制成单晶及更纯的硅,通常可以采用丘克拉斯基凝固工艺(CZ法)。 ”相关问题

  • 第1题：

    将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程？


    正确答案:整形处理，切片，磨片和倒角，刻蚀，抛光，清洗，硅片评估，包装。

  • 第2题：

    简述单晶材料制备中定向凝固法原理。


    正确答案: （1）本质上，定向凝固法是借助在一个温度梯度内进行结晶，从而在单一的固-液界面上成核。
    （2）要结晶的材料通常放在一个圆柱形的坩埚内，使该坩埚下降通过一个温度梯度，或者使加热器坩埚上升。通常把坩埚固定在一个设计得能产生近似一线性梯度的温度的炉子内，然后冷炉子

  • 第3题：

    （）是将熔融后的多晶硅与单晶硅的结晶进行接触，边缓慢旋转提拉，使结晶生长，最后得到长棒形状的单晶硅。

    • A、直拉法
    • B、铸锭法
    • C、西门子法
    • D、三氯氢硅还原法

    正确答案:A

  • 第4题：

    单晶硅锭的制备方法很多，目前国内外在生产中主要采用溶体直拉法和辉光放电法。


    正确答案:错误

  • 第5题：

    为了防止铸件在铸件产生热应力，在工艺上常采用（）。

    • A、同时凝固
    • B、顺序凝固
    • C、逐层凝固

    正确答案:B

  • 第6题：

    多晶硅的铸锭工艺主要有定向凝固法和浇铸法两种。


    正确答案:正确

  • 第7题：

    问答题
    写出单晶硅太阳能电池的主要工艺。

    正确答案： 1. 去除损伤层
    2. 表面绒面化
    3. 发射区扩散
    4. 发射区钝化氧化
    5. 边缘结刻蚀
    6. PECDV沉积SiNx
    7. 丝网印刷正背面电极浆料
    8. 共烧形成金属接触
    9. 电池片测试。
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    问答题
    将硅单晶棒制成硅片的过程包括哪些工艺？

    正确答案： 包括：切断、滚磨、定晶向、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、检验。
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    问答题
    将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程？

    正确答案： 整形处理，切片，磨片和倒角，刻蚀，抛光，清洗，硅片评估，包装。
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    压阻式压力传感器中的硅膜片通常是（）。
    A

    单晶硅

    B

    多晶硅

    C

    非晶硅

    D

    硅蓝宝石


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    关于扩散硅式压力变送器下列描述错误的是（）。
    A

    扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成

    B

    其硅片上沿单晶硅的特点晶向，制成应变电阻，构成惠斯凳电桥

    C

    集力敏与力电转换检测于一体

    D

    根据压阻效应，将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流，再根据电流变化与压力大小的非线性关系，推算压力大小。


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    简述直拉法生长单晶硅的工艺过程，并说明每个步骤各自有什么作用？

    正确答案： （1）引晶，可以使熔融硅与籽晶间温度平衡；
    （2）缩颈，是为了消除籽晶原有的缺陷或引晶时由于温度变化引起的新生缺陷；
    （3）放肩，使晶体逐渐长大至所需直径；
    （4）等径生长，使晶体逐渐长大至所需长度；
    （5）收尾，是为了避免晶棒离开熔融液时急速降温而产生的缺陷向上延伸。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    叙述从硅砂到单晶硅棒和多晶硅锭的主要步骤及其相关制备工艺名称。


    正确答案: （1）使用电炉用炭将硅砂还原为冶金级硅；
    （2）冶金级硅提纯为半导体级硅：西门子法和ASiMi法（硅烷法）；
    （3）半导体级多晶硅原材料转变成单晶硅和多晶硅：单晶硅的制备主要有直拉单晶法（CZ法）和浮融（FZ-FloatZonE.法。铸造多晶硅有三种主要的方法有Bridgman法、铸锭法和电磁铸造法（MEC.。

  • 第14题：

    简述纯硅多孔玻璃的制备工艺过程。


    正确答案:用75%二氧化硅、20%三氧化二硼和5%氧化钠熔融形成玻璃，然后在773K~873K热处理，分成两相一相主要是为纯二氧化硅，而另一相富含氧化钠和三氧化二硼，这种玻璃经酸处理除去氧化钠和三氧化二硼后，可制得包含40~150埃气孔的纯二氧化硅多孔玻璃

  • 第15题：

    工业中单晶硅的制备方法主要有（）和区熔法（FZ法）


    正确答案:直拉单晶法（CZ法或切克劳斯基法）

  • 第16题：

    下面哪种不是单晶硅的制备方法（）。

    • A、硅带法
    • B、区熔法
    • C、直拉单晶法
    • D、磁拉法

    正确答案:A

  • 第17题：

    为了制成单晶及更纯的硅，通常可以采用丘克拉斯基凝固工艺（CZ法）。


    正确答案:正确

  • 第18题：

    关于扩散硅式压力变送器下列描述错误的是（）。

    • A、扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成
    • B、其硅片上沿单晶硅的特点晶向，制成应变电阻，构成惠斯凳电桥
    • C、集力敏与力电转换检测于一体
    • D、根据压阻效应，将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流，再根据电流变化与压力大小的非线性关系，推算压力大小。

    正确答案:D

  • 第19题：

    判断题
    为了制成单晶及更纯的硅，通常可以采用丘克拉斯基凝固工艺（CZ法）。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    填空题
    CZ直拉法生长单晶硅是把（）变为（）并且（）的固体硅锭。

    正确答案： 融化了的半导体级硅液体,有正确晶向的,被掺杂成p型或n型
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    简述单晶材料制备中定向凝固法原理。

    正确答案： （1）本质上，定向凝固法是借助在一个温度梯度内进行结晶，从而在单一的固-液界面上成核。
    （2）要结晶的材料通常放在一个圆柱形的坩埚内，使该坩埚下降通过一个温度梯度，或者使加热器坩埚上升。通常把坩埚固定在一个设计得能产生近似一线性梯度的温度的炉子内，然后冷炉子
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    多选题
    以下哪些工艺应用的原子扩散的理论（）
    A

    渗氮

    B

    渗碳

    C

    硅晶片掺杂

    D

    提拉单晶硅


    正确答案： C,A
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    判断题
    85%以上的单晶硅是采用CZ直拉法生长出来的。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

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