8、关于MOSFET的低频跨导gm，以下说法正确的是（）。A．低频跨导gm放映了栅源电压对漏极电流的控制能力B．低频跨导gm是指在漏源电压为常数时，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压的微变量之比C．低频跨导gm是一个常数，与管子的工作电流和电压无关D．低频跨导gm会随管子工作点的不同而变化

题目

8、关于MOSFET的低频跨导gm，以下说法正确的是（）。

A．低频跨导gm放映了栅源电压对漏极电流的控制能力

B．低频跨导gm是指在漏源电压为常数时，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压的微变量之比

C．低频跨导gm是一个常数，与管子的工作电流和电压无关

D．低频跨导gm会随管子工作点的不同而变化

相似考题

1.场效应管的工作原理是()A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压

2.场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压

3.当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将( )。A.增大B.不变C.减小

4.某场效晶体管,在漏、源电压保持不变的情况下,栅、源电压变化为2V时,相应的漏极电流变化为4mA,该管的跨导是()。A、0.5mA/VB、1mA/VC、2mA/V

更多“8、关于MOSFET的低频跨导gm，以下说法正确的是（）。A．低频跨导gm放映了栅源电压对漏极电流的控制能力B．低频跨导gm是指在漏源电压为常数时，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压的微变量之比C．低频跨导gm是一个常数，与管子的工作电流和电压无关D．低频跨导gm会随管子工作点的不同而变化”相关问题

  • 第1题：

    功率MOSFET的极限参数指的是( )。

    A、最大漏极电流

    B、最小漏极电流

    C、最大许用漏-源电压

    D、最小许用漏-源电压


    正确答案:A,C

  • 第2题：

    当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将()

    A.增大

    B.不变

    C.减小

    D.不确定


    答案：A

  • 第3题：

    功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。


    正确答案:错误

  • 第4题：

    已知三极管的ICQ=1mA，则在常温下跨导gm为（）

    • A、19.2ms
    • B、38.5ms
    • C、77ms
    • D、154ms

    正确答案:B

  • 第5题：

    场效应管是通过（）改变漏极电流的。

    • A、栅极电流
    • B、栅源电压
    • C、漏源电压

    正确答案:B

  • 第6题：

    场效应管工作在饱和区时，其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈（）关系。


    正确答案:平方

  • 第7题：

    JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变（）的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面（）的多少，从而控制漏极电流的大小。


    正确答案:导电沟道；感生电荷

  • 第8题：

    绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（）来控制的。

    • A、栅极电流
    • B、发射极电流
    • C、栅极电压
    • D、发射极电压

    正确答案:C

  • 第9题：

    场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强。


    正确答案:正确

  • 第10题：

    绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（）来控制。

    • A、栅极电流
    • B、发射极电流
    • C、栅极电压
    • D、发射极电压

    正确答案:C

  • 第11题：

    单选题
    场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）
    A

    栅极电流

    B

    栅源电压

    C

    漏源电压

    D

    栅漏电压


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    MOSFET的温度特性体现为：（）。
    A

    温度升高，载流子迁移率升高，跨导升高，阀值电压升高

    B

    温度升高，载流子迁移率升高，跨导下降，阀值电压下降

    C

    温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压升高

    D

    温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压下降


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。

    A、栅极电流

    B、栅源电压

    C、源极电压

    D、源极电流


    参考答案：B

  • 第14题：

    描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。

    • A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量
    • B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量
    • C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量
    • D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量

    正确答案:B

  • 第15题：

    场效应管中，夹断电压表示漏极电流为（）时的栅源电压。


    正确答案:0

  • 第16题：

    跨导gm反映了场效应管（）对（）控制能力，其单位为（）或（）。


    正确答案:栅源电压；漏源电流；西门子；毫西门子

  • 第17题：

    N沟道JFET的跨导gm是（）

    • A、一个固定值
    • B、随电源电压VDD增加而加大
    • C、随静态栅源电压VGS增加而加大
    • D、随静态栅源电压VGS增加而减小

    正确答案:C

  • 第18题：

    场效应管跨导gm表示（）对漏电流iD的控制能力的强弱。


    正确答案:栅源电压（UGS）

  • 第19题：

    当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。

    • A、增大 
    • B、不变
    • C、减小

    正确答案:B

  • 第20题：

    场效应晶体管的主要参数有（）

    • A、开启电压
    • B、低频跨导
    • C、漏源击穿电压
    • D、最大耗散功率
    • E、最大漏极电流

    正确答案:A,B,C,D,E

  • 第21题：

    当场效应晶体管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）

    • A、增大
    • B、不变
    • C、减小
    • D、无法确定

    正确答案:A

  • 第22题：

    跨导S在数值上等于阳极电压Ua为常数的条件下，栅极电压Ug微量变化所引起的阳极电流Ia的相应改变。（）对阳极电流的控制能力越强。

    • A、S越大，说明栅极电压
    • B、S越大，说明栅极电流
    • C、S越小，说明栅极电压
    • D、S越小，说明栅极电流

    正确答案:A

  • 第23题：

    多选题
    功率MOSFET的极限参数指的是（）。
    A

    最大漏极电流

    B

    最小漏极电流

    C

    最大许用漏-源电压

    D

    最小许用漏-源电压


    正确答案： A,B
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    判断题
    功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

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