在静电场的无源区，电位满足的是泊松方程；在静电场的有源区，电位满足的是拉普拉斯方程。
题目
在静电场的无源区，电位满足的是泊松方程；在静电场的有源区，电位满足的是拉普拉斯方程。
相似考题
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第1题：
在静电场中，场强小的地方，其电位通常（ ）。A．更高
B．更低
C．接近于0
D．高低不定答案：D解析：
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第2题：
导体中的电位和静电场无电荷空间不一样，不满足拉普拉斯方程。
正确答案:错误 -
第3题：
在试液的平衡电位测定完成后，我们是根据（）得出试液的氟离子浓度。
- A、曲线方程
- B、斯特方程
- C、马赫方程
- D、能斯特方程
正确答案:D -
第4题：
静电场的环路定理说明静电场是：（）
- A、无势场
- B、有旋场
- C、有源场
- D、保守场
正确答案:D -
第5题：
静电场是（）源（）旋场，稳恒磁场是（）源（）旋场。（填写“有”或“无”）
正确答案:有；无；无；有 -
第6题：
满足干扰方程的空间称为：（）。
- A、有效干扰区
- B、干扰区
- C、干扰扇面
- D、有效干扰扇面
正确答案:B -
第7题：
电压，也称作电势差或电位差，是衡量单位电荷在静电场中由于电势不同所产生的能量差的物理量。
正确答案:正确 -
第8题：
单选题满足干扰方程的空间称为：（）。A有效干扰区
B干扰区
C干扰扇面
D有效干扰扇面
正确答案： C解析： 暂无解析 -
第9题：
判断题静电场是有源无旋场，恒定磁场是有旋无源场。( )A对
B错
正确答案： 对解析： -
第10题：
单选题高斯定理反映了静电场的什么特性？（）A无旋场
B有旋场、有源场
C无旋场、无源场
D无源场
正确答案： D解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题流函数、势函数的存在条件各是什么？它们是否都满足拉普拉斯方程形式？正确答案： 流函数存在条件是不可压缩平面流；势函数存在条件是有势流；若是不可压缩平面势流则均满足拉普拉斯方程形式解析： 暂无解析 -
第12题：
判断题势函数可以不满足拉普拉斯方程。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第13题：
关于静电场和恒定电场的性质，描述错误的是（ ）。A.静电场是有源无旋场
B.静电场是无源无旋场
C.恒定电场是无源无旋场
D.恒定电场是有源无旋场答案：B,D解析： -
第14题：
静电场或电路中两点间的电位差，叫（）。
正确答案:电压 -
第15题：
流函数必然满足拉普拉斯方程。
正确答案:正确 -
第16题：
势函数可以不满足拉普拉斯方程。
正确答案:错误 -
第17题：
在模拟法测绘静电场的实验装置中，当电源电压改变时，电场强度和电位是否变化？电力线和等位线的形状是否改变？
正确答案:电场强度和电位要变化，电力线和等位线的两侧，并尽量靠近等位线。 -
第18题：
流函数、势函数的存在条件各是什么？它们是否都满足拉普拉斯方程形式？
正确答案: 流函数存在条件是不可压缩平面流；势函数存在条件是有势流；若是不可压缩平面势流则均满足拉普拉斯方程形式 -
第19题：
在实验中用稳恒电流场来模拟静电场，需要满足的条件有哪些？
正确答案: ⑴电极系统与导体几何形状相同或相似。
⑵导电质与电介质分布规律相同或相似。
⑶电极的电导率远大于导电质的电导率，以保证电极表面为等势面。 -
第20题：
单选题用镜像法求解静电场边值问题时，判断镜像电荷的选取是否正确的根据是（）。A镜像电荷是否对称
B电位ψ所满足的方程是否改变
C边界条件是否改变
D同时选择B和C
正确答案： B解析： -
第21题：
判断题流函数必然满足拉普拉斯方程。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第22题：
单选题用镜像法求解静电场边值问题时，判断镜像电荷设置是否正确的依据是（）A镜像电荷的位置是否与原电荷对称
B镜像电荷是否与原电荷等值异号
C待求区域内的电位函数所满足的方程与边界条件是否保持不变
D同时满足A和B
正确答案： B解析： 暂无解析 -
第23题：
单选题速度势函数（ ）。[2019年真题]A满足拉普拉斯方程
B在可压缩流体流动中满足拉普拉斯方程
C在恒定流动中满足拉普拉斯方程
D在不可压缩流体无旋流动中满足拉普拉斯方程
正确答案： A解析：
把速度势函数代入不可压缩流体的连续性方程可得到拉普拉斯方程。拉普拉斯方程本身就是不可压缩流体无旋流动的连续性方程。势函数仅存在于无旋流动中。因此，速度势函数在不可压缩流体无旋流动中满足拉普拉斯方程。 -
第24题：
单选题用镜像法求解静电场边值问题时，判断镜像电荷设置是否正确的依据是（）。A镜像电荷的位置是否与原电荷对称
B镜像电荷是否与原电荷等值异号
C待求区域内的电位函数所满足的方程与边界条件是否保持不变
D无法判断
正确答案： B解析：