用QS-1型西林电桥反接线测量时,试验电压不能超过()KV,而正接线测量时却()限制。

题目
用QS-1型西林电桥反接线测量时,试验电压不能超过()KV,而正接线测量时却()限制。


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参考答案和解析
参考答案:10 没有
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  • 第1题:

    采用QS1电桥测量tanδ,正接线比反接线准确度低。

    A

    B



  • 第2题:

    在相同条件下,用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时,用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。


    正确答案:错误

  • 第3题:

    用直流电桥测量电阻时,其测量结果中,()。

    • A、单臂电桥应考虑接线电阻,而双臂电桥不必考虑;
    • B、双臂电桥应考虑接线电阻,而单臂电桥不必考虑;
    • C、单、双臂电桥均应考虑接线电阻;
    • D、单、双臂电桥均不必考虑接线电阻。

    正确答案:A

  • 第4题:

    西林电桥采用正接线时,电桥处于低电压,操作比较安全,电桥内部不受()影响,但被试品对地必须绝缘。

    • A、大电流
    • B、高电压
    • C、强电场
    • D、磁场

    正确答案:C

  • 第5题:

    使用QS1型交流电桥测量tanØ时,造成-tanØ值出现的原因有()

    • A、温度影响
    • B、强电场干扰
    • C、测量中接线错误
    • D、测量有抽取电压装置的电容式套管时,套管表面脏污

    正确答案:B,C,D

  • 第6题:

    采用QS1电桥测量tanδ,正接线比反接线准确度低。


    正确答案:错误

  • 第7题:

    西林电桥测试tanδ时采用()时适用于被试品不能与地隔离时的测量。

    • A、正接线
    • B、反接线
    • C、交叉接线

    正确答案:B

  • 第8题:

    在相同条件下,用QSI型西林电桥测量小电容试品的tgδT和C时,用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。


    正确答案:错误

  • 第9题:

    用QS1型交流电桥测量110kV及以上电流互感器介损tgδ值时,当具备电压等级足够高的标准电容器时,按正接法测量,试验电压最高可加到()。

    • A、10Kv
    • B、1.1倍相电压
    • C、线电压

    正确答案:B

  • 第10题:

    单选题
    西林电桥测试tanδ时采用()时适用于被试品不能与地隔离时的测量。
    A

    正接线

    B

    反接线

    C

    交叉接线


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    判断题
    西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品整体与地隔离时的测量。

  • 第12题:

    单选题
    采用QS1电桥测量tanδ,正接线比反接线准确度()。
    A

    B

    C

    相等


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。


    正确答案:错误

  • 第14题:

    QS1型西林电桥正接线时电桥桥臂都处于高电位。


    正确答案:正确

  • 第15题:

    用直流双臂电桥测量小电阻时,其被测电阻值与()有关。

    • A、标准电压
    • B、桥臂电阻
    • C、接线电阻
    • D、接触电阻

    正确答案:B

  • 第16题:

    使用QS1型交流电桥测量tanØ时,现场采用排除电场干扰的方法有以下几种()

    • A、提高试验电压
    • B、采用正接线方法
    • C、用电桥内部“选相”、“倒相”法接线,排除干扰源对电源相位的干扰
    • D、在被试设备上加装屏蔽罩

    正确答案:A,B,C,D

  • 第17题:

    用电桥测量电阻时,均不许带电测试,测量时必须将被测电阻与其它所有接线断开,单独测量。


    正确答案:正确

  • 第18题:

    采用QS1电桥测量tanδ,正接线比反接线准确度()。

    • A、低
    • B、高
    • C、相等

    正确答案:B

  • 第19题:

    为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时,采用正接线好?


    正确答案: 小电容(小于500pF)试品主要有电容型套管、电容型电流互感器等。对这些试品采用QS1型西林电桥的正、反接线进行测量时,其介质损耗因数的测量结果是不同的。其原因分析如下。
    按正接线测量一次对二次或一次对二次及外壳(垫绝缘)的介质损耗因数,测量结果是实际被试品一次对二次及外壳绝缘的介质损耗因数。而一次与顶部周围接地部分之间的电容和介质损耗因数均被屏蔽掉(电桥正接线测量时,接地点是电桥的屏蔽点)。为了在现场测试方便,可直接测量一次对二次的绝缘介质损耗因数,便可以灵敏地发现其进水受潮等绝缘缺陷,而按反接线测量的是一次对二次及地的介质损耗因数值。由于试品本身电容小,而一次与顶部对周围接地部分之间的电容所占的比例相对就比较大,也就对测量结果(反接线测量的综合介质损耗因数)有较大的影响。
    由于正接线具有良好的抗电场干扰,测量误差较小的特点,一般应以正接线测量结果作为分析判断绝缘状况的依据。

  • 第20题:

    用QS1型交流电桥测量110kV级以上电流互感器介损tgδ时,当具备电压等级足够的标准电容器时,按正接法测量,试验电压最高可加到()。

    • A、10kV
    • B、1.1倍相电压
    • C、2.2倍相电压
    • D、线电压

    正确答案:B

  • 第21题:

    判断题
    采用QS1电桥测量tanδ,正接线比反接线准确度低。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第22题:

    判断题
    在相同条件下,用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时,用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    判断题
    QS1型西林电桥正接线时电桥桥臂都处于高电位。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析