静态再结晶和动态再结晶结束后都形 成等轴晶粒；在其他条件相同时， 动态再结晶的晶粒比静态再结晶的晶 粒细小。
题目
静态再结晶和动态再结晶结束后都形 成等轴晶粒；在其他条件相同时， 动态再结晶的晶粒比静态再结晶的晶 粒细小。
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第1题：
变形温度的升高，则（）。
- A、奥氏体动态再结晶后的晶粒减小
- B、奥氏体动态再结晶后的晶粒增大
- C、不影响奥氏体动态再结晶后的晶粒大小
正确答案:B -
第2题：
变形金属再结晶后，其晶格类型和晶粒形状都改变了。
正确答案:错误 -
第3题：
晶粒回复过程：回复→晶粒长大→再结晶。
正确答案:错误 -
第4题：
动态再结晶时再结晶后的晶粒度主要取决于（），当静态再结晶时取决于（）。
正确答案:轧制温度、压下率 -
第5题：
在临界变形度范围进行塑性变形再结晶处理时，再结晶晶粒容易特别粗大。
正确答案:正确 -
第6题：
名词解释：烧结、烧结温度、泰曼温度、液相烧结、固相烧结、初次再结晶、晶粒长大、二次再结晶。
正确答案: （1）烧结：粉末或压坯在低于主要组分熔点的温度下的热处理，目的在于通过颗粒间的冶金结合以提高其强度。
（2）烧结温度：坯体在高温作用下，发生一系列物理化学反应，最后显气孔率接近于零，达到致密程度最大值时，工艺上称此种状态为"烧结"，达到烧结时相应的温度，称为"烧结温度"。
（3）泰曼温度：固体晶格开始明显流动的温度，一般在固体熔点（绝对温度）的2/3处的温度。在煅烧时，固体粒子在塔曼温度之前主要是离子或分子沿晶体表面迁移，在晶格内部空间扩散（容积扩散）和再结晶。而在塔曼温度以上，主要为烧结，结晶黏结长大。
（4）液相烧结：烧结温度高于被烧结体中熔点低的组分从而有液相出现的烧结。
（5）固相烧结：在固态状态下进行的烧结。
（6）初次再结晶：初次再结晶是在已发生塑性变形的基质中出现新生的无应变晶粒的成核和长大过程。
（7）晶粒长大：是指多晶体材料在高温保温过程中系统平均晶粒尺寸逐步上升的现象.
（8）二次再结晶：再结晶结束后正常长大被抑制而发生的少数晶粒异常长大的现象。 -
第7题：
将冷变形金属热到再结晶温度时，发生再结晶现象。即变形的晶粒重新形核。
正确答案:正确 -
第8题：
将金属加热到再结晶温度以上时，金属将发生回复、再结晶及晶粒长大等变化。
正确答案:正确 -
第9题：
简述晶粒生长与二次再结晶的特点，以及造成二次再结晶的原因和控制二次再结晶的方法。
正确答案: 晶粒生长：坯体内晶粒尺寸均匀地生长，服从Dl∝d／f公式；平均尺寸增长，不存在晶核，界面处于平衡状态，界面上无应力；晶粒生长时气孔都维持在晶界上或晶界交汇处。
二次再结晶是个别晶粒异常生长，不服从上式；二次再结晶的大晶粒的面上有应力存在，晶界数大于10的大晶粒，成为二次再结晶的晶核；二次再结晶时气孔被包裹到晶粒内部。
从工艺控制考虑，造成二次再结晶的原因主要是原始粒度不均匀、烧结温度偏高。
防止二次再结晶的最好方法是引入适当的添加剂，它能抑制晶界迁移，有效地加速气孔的排除；控制烧结温度 ；选择原始粒度的均匀原材料。 -
第10题：
问答题说明以下概念的本质区别： 1、一次再结晶和二次在结晶。 2、再结晶时晶核长大和再结晶后的晶粒长大。正确答案： 1、一次再结晶和二次在结晶。
定义
一次再结晶：冷变形后的金属加热到一定温度，保温足够时间后，在原来的变形组织中产生了无畸变的新的等轴晶粒，位错密度显著下降，性能发生显著变化恢复到冷变形前的水平，称为（一次）再结晶。它的实质是新的晶粒形核、长大的过程。
二次再结晶：经过剧烈冷变形的某些金属材料，在较高温度下退火时，会出现反常的晶粒长大现象，即少数晶粒具有特别大的长大能力，逐步吞食掉周围的小晶粒，其最终尺寸超过原始晶粒的几十倍或上百倍，比临界变形后的再结晶晶粒还要粗大得多，这个过程称为二次再结晶。二次再结晶并不是晶粒重新形核和长大的过程，它是以一次再结晶后的某些特殊晶粒作为基础而异常长大，严格来说它是特殊条件下的晶粒长大过程，并非是再结晶过程。
本质区别：是否有新的形核晶粒。
2、再结晶时晶核长大和再结晶后的晶粒长大。
定义
再结晶晶核长大：是指再结晶晶核形成后长大至再结晶初始晶粒的过程。其长大驱动力是新晶粒与周围变形基体的畸变能差，促使晶核界面向畸变区域推进，界面移动的方向，也就是晶粒长大的方向总是远离界面曲率中心，直至所有畸变晶粒被新的无畸变晶粒代替。
再结晶后的晶粒长大：是指再结晶晶核长大成再结晶初始晶粒后，当温度继续升高或延长保温时间，晶粒仍然继续长大的过程。此时，晶粒长大的驱动力是晶粒长大前后总的界面能的差，界面移动的方向，也就是晶粒长大的方向都朝向晶界的曲率中心，直至晶界变成平面状，达到界面能最低的稳定状态。
本质区别：
A.长大驱动力不同
B.长大方向不同，即晶界的移动方向不同解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题简述金属冷变形度的大小对再结晶形核机制和再结晶晶粒尺寸的影响。正确答案： 变形度较小时以晶界弓出机制形核，变形度大的高层错能金属以亚晶合并机制形核，变形度大的低层错能金属以亚晶长大机制形核。
冷变形度很小时不发生再结晶，晶粒尺寸基本保持不变，在临界变形度附近方式再结晶晶粒特别粗大，超过临界变形度后随变形度增大，晶粒尺寸减少，在很大变形度下，加热温度偏高，少数晶粒发二次再结晶，使部分晶粒粗化。解析： 暂无解析 -
第12题：
判断题将冷变形金属热到再结晶温度时，发生再结晶现象。即变形的晶粒重新形核。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第13题：
变形温度在再结晶温度以上时，变形产生的加工硬化被随即发生的再结晶所抵消，变形后金属具有再结晶的等轴晶粒组织，而无任何加工硬化痕迹，这种变形称为（）。
正确答案:热变形 -
第14题：
再结晶后的金属，一般都得到细小而均匀的（）晶粒。
正确答案:等轴 -
第15题：
变形金属加热时，金属的晶粒由破碎变成完整，由拉长的晶粒变成等轴晶粒的过程称为（）
- A、再结晶
- B、晶粒细化
- C、调质处理
正确答案:A -
第16题：
多边化裂纹附近常伴随有再结晶晶粒出现，所以多边化裂纹总是（）再结晶。
- A、早于
- B、迟于
- C、发展成
- D、消除
正确答案:B -
第17题：
动态再结晶是金属材料在较高温度进行形变加工同时发生的再结晶、其形变硬化与再结晶软化交替进行。
正确答案:正确 -
第18题：
当温度升高时整齐的晶粒变成破碎的晶粒，短晶粒变成等轴晶粒的过程叫再结晶
正确答案:错误 -
第19题：
当温度升高时破碎的晶粒变成整齐的晶粒，长晶粒变成等轴晶粒的过程叫（）。
- A、结晶
- B、再结晶
- C、回复
正确答案:B -
第20题：
什么是再结晶，一次再结晶，什么是二次再结晶，静态再结晶？这几者有什么区别。
正确答案: 再结晶指的是冷塑性变形的金属在加热过程中由冷变形的组织转变为新的无畸变组织的过程。
二次再结晶指的是再结晶后的晶粒在随后的长大过程中出现晶粒异常粗大的现象。
一次再结晶是相对于二次再结晶而言，其本质就是冷变形金属的再结晶。热加工过程中变形中断或终止变形以后在随后的冷却过程中发生的再结晶称为静态再结晶，其与冷变形后的再结晶是一致的。 -
第21题：
问答题简述晶粒生长与二次再结晶的特点，以及造成二次再结晶的原因和控制二次再结晶的方法。正确答案： 晶粒生长：坯体内晶粒尺寸均匀地生长，服从Dl∝d／f公式；平均尺寸增长，不存在晶核，界面处于平衡状态，界面上无应力；晶粒生长时气孔都维持在晶界上或晶界交汇处。
二次再结晶是个别晶粒异常生长，不服从上式；二次再结晶的大晶粒的面上有应力存在，晶界数大于10的大晶粒，成为二次再结晶的晶核；二次再结晶时气孔被包裹到晶粒内部。
从工艺控制考虑，造成二次再结晶的原因主要是原始粒度不均匀、烧结温度偏高。
防止二次再结晶的最好方法是引入适当的添加剂，它能抑制晶界迁移，有效地加速气孔的排除；控制烧结温度 ；选择原始粒度的均匀原材料。解析： 暂无解析 -
第22题：
填空题变形温度在再结晶温度以上时，变形产生的加工硬化被随即发生的再结晶所抵消，变形后金属具有再结晶的等轴晶粒组织，而无任何加工硬化痕迹，这种变形称为（）。正确答案： 热变形解析： 暂无解析 -
第23题：
判断题回复和再结晶过程以及再结晶后的晶粒长大是在应变能下降的推动下产生的。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第24题：
问答题名词解释：烧结、烧结温度、泰曼温度、液相烧结、固相烧结、初次再结晶、晶粒长大、二次再结晶。正确答案： （1）烧结：粉末或压坯在低于主要组分熔点的温度下的热处理，目的在于通过颗粒间的冶金结合以提高其强度。
（2）烧结温度：坯体在高温作用下，发生一系列物理化学反应，最后显气孔率接近于零，达到致密程度最大值时，工艺上称此种状态为"烧结"，达到烧结时相应的温度，称为"烧结温度"。
（3）泰曼温度：固体晶格开始明显流动的温度，一般在固体熔点（绝对温度）的2/3处的温度。在煅烧时，固体粒子在塔曼温度之前主要是离子或分子沿晶体表面迁移，在晶格内部空间扩散（容积扩散）和再结晶。而在塔曼温度以上，主要为烧结，结晶黏结长大。
（4）液相烧结：烧结温度高于被烧结体中熔点低的组分从而有液相出现的烧结。
（5）固相烧结：在固态状态下进行的烧结。
（6）初次再结晶：初次再结晶是在已发生塑性变形的基质中出现新生的无应变晶粒的成核和长大过程。
（7）晶粒长大：是指多晶体材料在高温保温过程中系统平均晶粒尺寸逐步上升的现象.
（8）二次再结晶：再结晶结束后正常长大被抑制而发生的少数晶粒异常长大的现象。解析： 暂无解析