再结晶退火中残余应力显著降低是在（）A、回复B、再结晶C、晶粒长大
题目
再结晶退火中残余应力显著降低是在（）
- A、回复
- B、再结晶
- C、晶粒长大
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第1题：
淬火低碳钢在高于400℃回火时，α相回复呈（），后再结晶为（）晶粒。
正确答案:条状铁素体，等轴 -
第2题：
（）阶段，金属材料的硬度降低，塑性、韧性升高。
- A、塑性变形
- B、再结晶
- C、回复
- D、晶粒长大
正确答案:B -
第3题：
晶粒回复过程：回复→晶粒长大→再结晶。
正确答案:错误 -
第4题：
冷轧生产中进行再结晶退火时，钢的内部组织变化过程可分为（）、再结晶和晶粒长大三个阶段。
正确答案:回复 -
第5题：
说明金属在冷变形、回复、再结晶及晶粒长大四个阶段的行为与表现，并说明各阶段促使这些晶体缺陷运动的驱动力是什么。
正确答案:（1）冷变形加工时主要的形变方式是滑移，由于滑移，晶体中空位和位错密度增加，位错分布不均匀。缺陷运动驱动力为切应力作用。
（2）回复过程空位扩散、聚集或消失；位错密度降低，位错相互作用重新分布（多样化）。缺陷运动驱动力为弹性畸变能。
（3）再结晶过程毗邻低位错密度区晶界向高位错密度区的晶粒扩张。位错密度减少，能量降低，成为低畸变或无畸变区。缺陷运动驱动力为形变储存能。
（4）晶粒长大阶段弯曲界面向其曲率中心移动，微量杂质原子偏聚在晶界区域，对晶界移动起到拖曳作用，这与杂质吸附在位错中组成柯氏气团阻碍位错运动相似，影响了晶界的活动性。缺陷运动驱动力为晶粒长大前后总的界面能差，而界面移动的驱动力是界面曲率。 -
第6题：
晶粒长大和再结晶晶核长大的驱动力有何不同，为什么织构会阻碍晶粒的长大？
正确答案:晶粒长大的驱动力为晶界能的降低，再结晶晶核长大的驱动力为储存能的降低。织构组织中各晶粒之间的位相差小，其晶界能相对于正常晶粒组织的晶界能较低，故使其晶界迁移率较低，从而阻碍晶粒的长大。 -
第7题：
过热钢经再结晶退火后能显著细化晶粒
正确答案:错误 -
第8题：
判断题将金属加热到再结晶温度以上时，金属将发生回复、再结晶及晶粒长大等变化。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第9题：
单选题二次再结晶是指（）A少数巨大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程
B多数巨大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程
C晶粒不断成核长大的过程
D少数大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程
正确答案： C解析： 暂无解析 -
第10题：
判断题回复和再结晶过程以及再结晶后的晶粒长大是在应变能下降的推动下产生的。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题晶粒长大和再结晶晶核长大的驱动力有何不同，为什么织构会阻碍晶粒的长大？正确答案： 晶粒长大的驱动力为晶界能的降低，再结晶晶核长大的驱动力为储存能的降低。织构组织中各晶粒之间的位相差小，其晶界能相对于正常晶粒组织的晶界能较低，故使其晶界迁移率较低，从而阻碍晶粒的长大。解析： 暂无解析 -
第12题：
判断题在再结晶过程中，晶粒的尺寸随再结晶温度的升高和时间的延长而长大。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第13题：
冷塑性变形的金属再加热，随着加热温度的升高，会出现（）的现象。
- A、回复
- B、再结晶定
- C、晶粒长大
- D、晶粒破碎
正确答案:B,C -
第14题：
在（）阶段，金属的强度、硬度和塑性等机械性能变化不大，但内应力会显著下降。
- A、塑性变形
- B、再结晶
- C、回复
- D、晶粒长大
正确答案:C -
第15题：
塑性变形后金属进行再结晶退火可使（）消失。
- A、残余应力
- B、加工硬化
- C、等轴晶粒
- D、回火脆性
正确答案:B -
第16题：
二次再结晶是（）
- A、相变过程
- B、形核长大过程
- C、某些晶粒特别长大的现象
正确答案:B -
第17题：
名词解释：烧结、烧结温度、泰曼温度、液相烧结、固相烧结、初次再结晶、晶粒长大、二次再结晶。
正确答案: （1）烧结：粉末或压坯在低于主要组分熔点的温度下的热处理，目的在于通过颗粒间的冶金结合以提高其强度。
（2）烧结温度：坯体在高温作用下，发生一系列物理化学反应，最后显气孔率接近于零，达到致密程度最大值时，工艺上称此种状态为"烧结"，达到烧结时相应的温度，称为"烧结温度"。
（3）泰曼温度：固体晶格开始明显流动的温度，一般在固体熔点（绝对温度）的2/3处的温度。在煅烧时，固体粒子在塔曼温度之前主要是离子或分子沿晶体表面迁移，在晶格内部空间扩散（容积扩散）和再结晶。而在塔曼温度以上，主要为烧结，结晶黏结长大。
（4）液相烧结：烧结温度高于被烧结体中熔点低的组分从而有液相出现的烧结。
（5）固相烧结：在固态状态下进行的烧结。
（6）初次再结晶：初次再结晶是在已发生塑性变形的基质中出现新生的无应变晶粒的成核和长大过程。
（7）晶粒长大：是指多晶体材料在高温保温过程中系统平均晶粒尺寸逐步上升的现象.
（8）二次再结晶：再结晶结束后正常长大被抑制而发生的少数晶粒异常长大的现象。 -
第18题：
当温度升高时破碎的晶粒变成整齐的晶粒，长晶粒变成等轴晶粒的过程叫（）。
- A、结晶
- B、再结晶
- C、回复
正确答案:B -
第19题：
将金属加热到再结晶温度以上时，金属将发生回复、再结晶及晶粒长大等变化。
正确答案:正确 -
第20题：
判断题回复、再结晶和晶粒长大都是塑性变形后使金属消除加工硬化的必经途径。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题说明以下概念的本质区别： 1、一次再结晶和二次在结晶。 2、再结晶时晶核长大和再结晶后的晶粒长大。正确答案： 1、一次再结晶和二次在结晶。
定义
一次再结晶：冷变形后的金属加热到一定温度，保温足够时间后，在原来的变形组织中产生了无畸变的新的等轴晶粒，位错密度显著下降，性能发生显著变化恢复到冷变形前的水平，称为（一次）再结晶。它的实质是新的晶粒形核、长大的过程。
二次再结晶：经过剧烈冷变形的某些金属材料，在较高温度下退火时，会出现反常的晶粒长大现象，即少数晶粒具有特别大的长大能力，逐步吞食掉周围的小晶粒，其最终尺寸超过原始晶粒的几十倍或上百倍，比临界变形后的再结晶晶粒还要粗大得多，这个过程称为二次再结晶。二次再结晶并不是晶粒重新形核和长大的过程，它是以一次再结晶后的某些特殊晶粒作为基础而异常长大，严格来说它是特殊条件下的晶粒长大过程，并非是再结晶过程。
本质区别：是否有新的形核晶粒。
2、再结晶时晶核长大和再结晶后的晶粒长大。
定义
再结晶晶核长大：是指再结晶晶核形成后长大至再结晶初始晶粒的过程。其长大驱动力是新晶粒与周围变形基体的畸变能差，促使晶核界面向畸变区域推进，界面移动的方向，也就是晶粒长大的方向总是远离界面曲率中心，直至所有畸变晶粒被新的无畸变晶粒代替。
再结晶后的晶粒长大：是指再结晶晶核长大成再结晶初始晶粒后，当温度继续升高或延长保温时间，晶粒仍然继续长大的过程。此时，晶粒长大的驱动力是晶粒长大前后总的界面能的差，界面移动的方向，也就是晶粒长大的方向都朝向晶界的曲率中心，直至晶界变成平面状，达到界面能最低的稳定状态。
本质区别：
A.长大驱动力不同
B.长大方向不同，即晶界的移动方向不同解析： 暂无解析 -
第22题：
单选题位错缠结的多边化发生在形变合金加热的（）阶段。A回复
B再结晶
C晶粒长大
正确答案： C解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题名词解释：烧结、烧结温度、泰曼温度、液相烧结、固相烧结、初次再结晶、晶粒长大、二次再结晶。正确答案： （1）烧结：粉末或压坯在低于主要组分熔点的温度下的热处理，目的在于通过颗粒间的冶金结合以提高其强度。
（2）烧结温度：坯体在高温作用下，发生一系列物理化学反应，最后显气孔率接近于零，达到致密程度最大值时，工艺上称此种状态为"烧结"，达到烧结时相应的温度，称为"烧结温度"。
（3）泰曼温度：固体晶格开始明显流动的温度，一般在固体熔点（绝对温度）的2/3处的温度。在煅烧时，固体粒子在塔曼温度之前主要是离子或分子沿晶体表面迁移，在晶格内部空间扩散（容积扩散）和再结晶。而在塔曼温度以上，主要为烧结，结晶黏结长大。
（4）液相烧结：烧结温度高于被烧结体中熔点低的组分从而有液相出现的烧结。
（5）固相烧结：在固态状态下进行的烧结。
（6）初次再结晶：初次再结晶是在已发生塑性变形的基质中出现新生的无应变晶粒的成核和长大过程。
（7）晶粒长大：是指多晶体材料在高温保温过程中系统平均晶粒尺寸逐步上升的现象.
（8）二次再结晶：再结晶结束后正常长大被抑制而发生的少数晶粒异常长大的现象。解析： 暂无解析