结型场效应管发生预夹断后,管子关断,电流为零。
第1题:
A.N沟道结型场效应管
B.P沟道结型场效应管
C.N沟道增强型MOS管
D.P沟道增强型MOS管
E.N沟道耗尽型MOS管
F.P沟道耗尽型MOS管
第2题:
下列关于场效应管的说法中,错误的是:
第3题:
高压复合结型场效应管
第4题:
触发导通的晶闸管,当阳极电流减小到低于维持电流时,晶闸管()。
第5题:
结型场效应管的类型有()。
第6题:
N沟道结型场效应管的夹断电压VP为()。
第7题:
对于结型场效应管,栅源极之间的PN结()
第8题:
当场效应管被预夹断后,ID将随VDS的增大而()
第9题:
根据结构的不同,场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。
第10题:
绝缘栅型场效应管的输入电流()。
第11题:
零电压开通
零电流开通
零电压关断
零电流关断
第12题:
较大
较小
为零
无法判断
第13题:
在功率管开通过程中,使功率管的电流为零,或限制其电流的上升,从而减小电流与电压的交迭区域,称为().
第14题:
增强型场效应管的最大特点是只有UGS小于零时,管子才有电流。
第15题:
双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号(即驱动信号)为()。
第16题:
结型场效应管的工作是通过改变()来控制管子的()。
第17题:
结型场效应管利用删源极间所加的()来改变导电沟道的电阻。
第18题:
使结型场效应管ID=0的临界栅源电压称为(夹断)电压,N沟道JFET的UGS(off)()0,P沟道JFET的UGS(off)()0。
第19题:
场效应管中,Idss表示栅源电压为零时的()电流。
第20题:
当开关关断时,使电流先下降到零后,电压再缓慢上升到通态值,所以关断时不会产生损耗和噪声,这种关断方式称为()。
第21题:
晶闸管的关断条件是阳极电流小于管子的擎住电流。
第22题:
反偏电压
反向电流
正偏电压
正向电流
第23题:
零电压开通
零电压关断
零电流开通
零电流关断
第24题:
零电压开通
零电压关断
零电流开通
零电流关断