杂质离子被包藏在晶体内部的现象称为()。A.混晶B.吸留C.混杂D.吸附 - itgle

题目

杂质离子被包藏在晶体内部的现象称为()。

A.混晶

B.吸留

C.混杂

D.吸附

相似考题

1.在沉淀形成过程中,待测离子的半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成()A、吸留B、混晶C、包藏D、后沉淀

2.如果被吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，易形成：（）A．后沉淀B．表面吸附C．吸留D．混晶

3.杂质离子取代晶体结构中某一结点上的离子而不改变晶体结构类型的现象称为同晶取代现象。（)

4.在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成A．吸留B．混晶C．包藏D．后沉淀

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第1题：

4、如果被吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，易形成（）
A．后沉淀
B．表面吸附
C．吸留
D．混晶

混晶
第2题：

【单选题】如果被吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，就可能形成（）
A．表面吸附
B．机械吸留
C．包藏
D．混晶

D
第3题：

如果被吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，就有可能形成（）。
A．表面吸附
B．吸留
C．包夹
D．混晶

混晶
第4题：

5、如果被吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，就可能形成（)
A．表面吸附
B．机械吸留
C．包藏
D．混晶

混晶
第5题：

如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，可形成什么类型沉淀？
A．后沉淀
B．吸留
C．包夹
D．混晶

混晶

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