在沉淀形成过程中,待测离子的半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成()A、吸留B、混晶C、包藏D、后沉淀

题目
在沉淀形成过程中,待测离子的半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成()

A、吸留

B、混晶

C、包藏

D、后沉淀

相似考题

1.控制酸度可提高EDTA滴定选择性的原因是:()A、降低杂质离子的浓度B、提高待测离子的浓度C、提高待测金属离子的KMYD、使杂质离子的KNY’降低到不能被滴定的程度E、使杂质离子形成另外一种稳定化合物

2.金属指示剂与待测金属离子形成的络合物比EDTA与待测金属离子形成的络合物稳定。()此题为判断题(对，错)。

3.在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成A．吸留B．混晶C．包藏D．后沉淀

4.配位滴定中,在使用掩蔽剂消除共存离子的干扰时,下列注意事项中说法不正确的是()。A、掩蔽剂不与待测离子配合，或形成配合物的稳定常数远小于待测离子与EDTA配合物的稳定性B、干扰离子与掩蔽剂所形成的配合物的稳定性应比与EDTA形成的配合物更稳定C、在滴定待测离子所控制的酸度范围内应以离子形式存在，应具有较强的掩蔽能力D、掩蔽剂与干扰离子所形成的配合物应是无色或浅色的，不影响终点的判断

更多“在沉淀形成过程中,待测离子的半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成() ”相关问题

  • 第1题：

    杂质离子与构晶离子的半径相近、电荷相同、所形成晶体的结构相同时，易形成混晶。


    混晶

  • 第2题：

    35、杂质离子与构晶离子的半径相近、电荷相同、所形成晶体的结构相同时，易形成混晶。


    正确

  • 第3题：

    返滴定法就是在待测溶液中加入能与EDTA形成稳定配合物的金属离子来沉淀待测离子，过量的沉淀剂用EDTA滴定，最后利用沉淀待测离子消耗沉淀剂的量，间接地计算出待测离子的含量


    B

  • 第4题：

    13、在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成

    A．吸附共沉淀

    B．混晶共沉淀

    C．包藏共沉淀

    D．后沉淀


    混晶

  • 第5题：

    11、杂质离子与构晶离子的半径相近、电荷相同、所形成晶体的结构相同时，易形成混晶。


    正确

相关内容