磁阻元件不用来测量().A.位移B. 力C. 加速度D. 温度

题目
磁阻元件不用来测量().

A.位移

B. 力

C. 加速度

D. 温度

相似考题

1.电子电位差计与一次元件()一起用来测量温度,电子平衡电桥与一次元件()一起用来测量温度。

2.磁阻效应实验中，被测量的磁阻元件是A．锑化铟B．砷化镓C．硅D．砷化铟

3.20、某些材料（如霍尔元件）的电阻值受到磁场的影响而改变的现象称为磁阻效应，利用磁阻效应制成的元件称为______.

4.【填空题】变磁阻式传器是利用被测量调制磁路的磁阻,导致____改变,实现对被测量测量的。

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  • 第1题：

    5、下列关于磁阻元件的说法错误的是

    A．常见的磁阻元件有长方形磁敏电阻元件、科宾诺元件、InSb-NiSb共晶磁阻元件

    B．长方形磁阻元件在弱磁场作用下磁敏电阻与磁场强度呈线性关系

    C．长方形磁阻元件在外加磁场作用下，物理磁阻效应和几何磁阻效应同时存在

    D．InSb-NiSb共晶材料的特点是在InSb的晶体中掺有NiSb，在结晶过程中会析出NiSb针状晶体


    长方形磁阻元件在弱磁场作用下磁敏电阻与磁场强度呈线性关系

  • 第2题：

    6、霍尔元件同时具有霍尔效应和磁阻效应。


    正确

  • 第3题：

    27、霍尔元件同时具有霍尔效应和磁阻效应。


    正确

  • 第4题：

    下列关于磁阻元件的说法错误的是

    A．常见的磁阻元件有长方形磁敏电阻元件、科宾诺元件、InSb-NiSb共晶磁阻元件

    B．长方形磁阻元件在弱磁场作用下磁敏电阻与磁场强度呈线性关系

    C．长方形磁阻元件在外加磁场作用下，物理磁阻效应和几何磁阻效应同时存在

    D．InSb-NiSb共晶材料的特点是在InSb的晶体中掺有NiSb，在结晶过程中会析出NiSb针状晶体


    长方形磁阻元件在弱磁场作用下磁敏电阻与磁场强度呈线性关系

  • 第5题：

    某些材料（如霍尔元件）的电阻值受到磁场的影响而改变的现象称为磁阻效应，利用磁阻效应制成的元件称为______.


    磁敏电阻

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