N沟道场效应管是靠空穴导电的

题目

N沟道场效应管是靠空穴导电的

相似考题

1.在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。A、N沟道耗尽型B、P沟道耗尽型C、P沟道增强型D、N沟道增强型

2.场效应管有结型和绝缘栅型两类,每一类中又分()两种。A、N沟道和P沟道B、H沟道和P沟道C、N沟道和H沟道D、Y沟道和H沟道

3.靠空穴导电的半导体叫做电子型半导体,靠电子导电的半导体叫做空穴型半导体。()此题为判断题(对，错)。

4.场效应管靠()导电。A、一种载流子B、两种载流子C、电子D、空穴

参考答案和解析
错误
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  • 第1题：

    结型场效应管的类型有()。

    A.N沟道结型场效应管

    B.P沟道结型场效应管

    C.N沟道增强型MOS管

    D.P沟道增强型MOS管

    E.N沟道耗尽型MOS管

    F.P沟道耗尽型MOS管


    参考答案：AB

  • 第2题：

    P型半导体是靠（）导电。

    • A、离子
    • B、电子
    • C、空穴

    正确答案:C

  • 第3题：

    结型场效应管的类型有（）。

    • A、N沟道结型场效应管
    • B、P沟道结型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第4题：

    半导体按导电类型分为（）型半导体与（）型半导体，（）型半导体靠电子来导电，（）型半导体靠空穴来导电。


    正确答案:N；P；N；P

  • 第5题：

    （）具有不同的低频小信号电路模型。

    • A、NPN型管和PNP型管
    • B、增强型场效应管和耗尽型场效应管
    • C、N沟道场效应管和P沟道场效应管
    • D、晶体管和场效应管

    正确答案:D

  • 第6题：

    耗尽型场效应管在uGS=0时也会在漏、源极之间形成导电沟道。


    正确答案:正确

  • 第7题：

    当uGS=0时，漏源间存在导电沟道的称为（）型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为（）型场效应管。


    正确答案:耗尽；增强

  • 第8题：

    根据栅—源电压为零时，导电沟道是否存在，将场效应管分为（）和耗尽型。


    正确答案:增强型

  • 第9题：

    N沟道结型场效应管中的载流子是（）

    • A、自由电子
    • B、空穴
    • C、电子和空穴
    • D、带电离子

    正确答案:A

  • 第10题：

    下列场效应管中，无原始导电沟道的为（）。

    • A、N沟道JFET
    • B、增强~AIPMOS管
    • C、耗尽型NMOS管
    • D、耗尽型PMOS管

    正确答案:B

  • 第11题：

    在半导体中，靠空穴导电的半导体称N型半导体。


    正确答案:错误

  • 第12题：

    单选题
    D沟道型场效应管中的载流子是（）
    A

    自由电子

    B

    空穴

    C

    电子和空穴

    D

    带电离子


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    由两个N区夹着一个P区，漏极电流是由P区中空穴形成的这种结构的管子，我们称其为N型沟道场效应管。


    正确答案:错误

  • 第14题：

    P型半导体靠空穴导电。


    正确答案:错误

  • 第15题：

    场效应管的类型有（）。

    • A、结型场效应管
    • B、绝缘栅型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第16题：

    场效应管的类型按沟道分为（）型和（）型；按结构分有（）型和（）型；按uGS=0时有无导电沟道分为（）型和（）型。


    正确答案:N沟道；P沟道；结；绝缘栅；增强；耗尽

  • 第17题：

    结型场效应管的基本工作原理是（）

    • A、改变导电沟道中的载流子浓度
    • B、改变导电沟道中的横截面积
    • C、改变导电沟道中的有效长度
    • D、改变导电沟道中的体积

    正确答案:B

  • 第18题：

    N型半导体材料导电的载流子是空穴。


    正确答案:错误

  • 第19题：

    衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。


    正确答案:错误

  • 第20题：

    场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。


    正确答案:结型；增强型

  • 第21题：

    MOS场效应管按导电沟道划分为N和（）两大类。


    正确答案:P

  • 第22题：

    更具结构不同，场效应管分为（）

    • A、N沟道和P沟道场效应管
    • B、NPN和PNP型场效应
    • C、MOS管和MNS管
    • D、结构和绝缘栅场效应管

    正确答案:D

  • 第23题：

    单选题
    关于P、N型半导体内参与导电的介质，下列说法最为合适的是（）。
    A

    自由电子、空穴、位于晶格上的离子

    B

    无论P型还是N型半导体，自由电子、空穴都是导电介质

    C

    对于P型半导体，空穴是唯一的导电介质

    D

    对于N型半导体，空穴是唯一的导电介质


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    单选题
    场效应管参与导电的载流子是（）。
    A

    电子

    B

    空穴

    C

    多数载流子

    D

    少数载流子


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

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