关于免疫记忆的叙述,下列哪项是错误的()A、免疫应答过程中可产生Bm、TmB、在免疫应答的分化阶段,小部分细胞分化为记忆细胞,大部分分化为效应细胞C、记忆细胞表达CD45RAD、记忆细胞表面分子表达有改变E、再次应答可引起比初次应答更强的抗体产生

题目

关于免疫记忆的叙述,下列哪项是错误的()

  • A、免疫应答过程中可产生Bm、Tm
  • B、在免疫应答的分化阶段,小部分细胞分化为记忆细胞,大部分分化为效应细胞
  • C、记忆细胞表达CD45RA
  • D、记忆细胞表面分子表达有改变
  • E、再次应答可引起比初次应答更强的抗体产生

相似考题
参考答案和解析
正确答案:C
更多“关于免疫记忆的叙述,下列哪项是错误的()A、免疫应答过程中可产生Bm、TmB、在免疫应答的分化阶段,小部分细胞分化为记忆细胞,大部分分化为效应细胞C、记忆细胞表达CD45RAD、记忆细胞表面分子表达有改变E、再次应答可引起比初次应答更强的抗体产生”相关问题
  • 第1题:

    关于免疫记忆的叙述,下列哪一项是错误的

    A.体液免疫和细胞免疫均存在免疫记忆现象

    B.Bm是再次应答的主要APC

    C.免疫应答过程中可产生Tm和Bm

    D.TI-A9和TD-A9均可引起回忆应答

    E.记忆性细胞是在免疫应答的分化阶段产生的


    正确答案:D

  • 第2题:

    TD抗原引起免疫应答的特点是( )

    A、产生免疫应答的细胞是B细胞

    B、只引起体液免疫应答,不能引起细胞免疫应答

    C、可直接作用于T、B淋巴细胞产生免疫应答

    D、只引起细胞免疫应答,不能引起体液免疫应答

    E、可形成记忆细胞


    参考答案:E

  • 第3题:

    TD抗原引起的免疫应答的特点( )。

    A.产生免疫应答的细胞为B细胞
    B.只引起体液免疫应答,不能引起细胞免疫应答
    C.可形成记忆细胞
    D.只引起细胞免疫应答,不能引起体液免疫应答

    答案:C
    解析:

  • 第4题:

    TD抗原引起的免疫应答的特点是()。

    • A、产生免疫应答的细胞为B1细胞
    • B、只引起体液免疫应答,不能引起细胞免疫应答
    • C、可形成记忆细胞
    • D、只引起细胞免疫应答,不能引起体液免疫应答

    正确答案:C

  • 第5题:

    体液免疫的初次应答与再次应答的不同点是()

    • A、初次应答产生的抗体主要是IgM,再次应答的是IgG
    • B、再次应答抗体亲和力高
    • C、再次应答产生IgG的潜伏期短
    • D、初次应答的抗原呈递细胞是巨噬细胞
    • E、再次应答的抗原呈递细胞是记忆B淋巴细胞

    正确答案:A,B,C,D,E

  • 第6题:

    特异性免疫应答的有关概念中,“淋巴细胞初次接触特定抗原→产生应答→形成特异性记忆细胞→以后再次接触相同抗原刺激→记忆细胞迅速被激活产生强的再次应答”属于()

    • A、抗原(Ag)
    • B、免疫应答
    • C、免疫应答的特异性
    • D、免疫应答的记忆性
    • E、免疫应答的耐受性

    正确答案:D

  • 第7题:

    TD-Ag引起的免疫应答的特点是()。

    • A、产生体液免疫应答的细胞为B1细胞
    • B、只引起体液免疫应答,不引起细胞免疫应答
    • C、可诱导T、B淋巴细胞产生免疫应答
    • D、只引起细胞免疫应答,不能引起体液免疫应答
    • E、可诱导免疫记忆细胞形成

    正确答案:C

  • 第8题:

    单选题
    TD抗原引起的免疫应答的特点是(  )。
    A

    只引起细胞免疫应答,不能引起体液免疫应答

    B

    产生免疫应答的细胞为B1细胞

    C

    可直接作用于T、B淋巴细胞产生免疫应答

    D

    只引起体液免疫应答,不能引起细胞免疫应答

    E

    可形成记忆细胞


    正确答案: E
    解析: 暂无解析

  • 第9题:

    单选题
    TD抗原引起的免疫应答的特点是()。
    A

    产生免疫应答的细胞为B1细胞

    B

    只引起体液免疫应答,不能引起细胞免疫应答

    C

    可形成记忆细胞

    D

    只引起细胞免疫应答,不能引起体液免疫应答


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第10题:

    单选题
    关于免疫记忆的叙述,下列哪项是错误的()
    A

    免疫应答过程中可产生Bm、Tm

    B

    在免疫应答的分化阶段,小部分细胞分化为记忆细胞,大部分分化为效应细胞

    C

    记忆细胞表达CD45RA

    D

    记忆细胞表面分子表达有改变

    E

    再次应答可引起比初次应答更强的抗体产生


    正确答案: E
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    TD-Ag引起的免疫应答的特点是( )

    A.产生体液免疫应答的细胞为B1细胞

    B.只引起体液免疫应答,不引起细胞免疫应答

    C.可诱导T、B淋巴细胞产生免疫应答

    D.只引起细胞免疫应答,不能引起体液免疫应答

    E.可诱导免疫记忆细胞形成


    正确答案:C

  • 第12题:

    关于免疫记忆的叙述,下列哪项是错误的( )

    A、免疫应答过程中可产生Bm、Tm

    B、在免疫应答的分化阶段,小部分细胞分化为记忆细胞,大部分分化为效应细胞

    C、记忆细胞表达CD45RA

    D、记忆细胞表面分子表达有改变

    E、再次应答可引起比初次应答更强的抗体产生


    参考答案:C

  • 第13题:

    有关体液免疫的初次应答与再次应答的不同点的陈述,错误的是

    A.初次应答产生的抗体主要是IgM,再次应答的是IgG
    B.再次应答抗体亲和力高
    C.再次应答产生IgG的潜伏期长
    D.初次应答的抗原提呈细胞是巨噬细胞
    E.再次应答的抗原提呈细胞是记忆B淋巴细胞

    答案:C
    解析:
    初次应答和再次应答的主要不同点见下表。初次应答和再次应答的鉴别区别点初次免疫应答再次免疫应答抗原提呈细胞巨噬细胞为主B细胞为主抗体出现的潜伏期较长较短抗体高峰浓度较低较高抗体维持时间较短较长抗体类别IgM为主IgG为主抗体亲和力较低较高

  • 第14题:

    关于免疫记忆的叙述,下列哪一项是错误的()

    • A、体液免疫和细胞免疫均存在免疫记忆现象
    • B、Bm是再次应答的主要APC
    • C、免疫应答过程中可产生Tm和Bm
    • D、TI-Ag和TD-Ag均可引起回忆应答
    • E、记忆性细胞是在免疫应答的分化阶段产生的

    正确答案:D

  • 第15题:

    关于免疫记忆,下列哪项是错误的?()

    • A、免疫应答过程中可产生Bm、Tm
    • B、免疫应答的分化阶段,小部分细胞分化为记忆细胞,大部分分化为效应细胞
    • C、记忆细胞表达CD45RA
    • D、记忆细胞表面分子表达有改变
    • E、再次应答可引起比初次免疫更强的抗体产生

    正确答案:C

  • 第16题:

    B细胞介导的体液免疫中,“用同一抗原再次免疫时,可引起比初次更强的抗体产生”属于()

    • A、免疫应答
    • B、免疫记忆
    • C、排异效应
    • D、免疫应答的过程
    • E、抗体的反馈调节

    正确答案:B

  • 第17题:

    有关体液免疫的初次应答与再次应答的不同点的陈述,错误的是()

    • A、初次应答产生的抗体主要是IgM,再次应答的是IgG
    • B、再次应答抗体亲和力高
    • C、再次应答产生IgG的潜伏期长
    • D、初次应答的抗原提呈细胞是巨噬细胞
    • E、再次应答的抗原提呈细胞是记忆B淋巴细胞

    正确答案:C

  • 第18题:

    单选题
    关于免疫记忆的叙述,下列哪一项是错误的()
    A

    体液免疫和细胞免疫均存在免疫记忆现象

    B

    Bm是再次应答的主要APC

    C

    免疫应答过程中可产生Tm和Bm

    D

    TI-Ag和TD-Ag均可引起回忆应答

    E

    记忆性细胞是在免疫应答的分化阶段产生的


    正确答案: D
    解析: 暂无解析

  • 第19题:

    单选题
    B细胞介导的体液免疫中,“用同一抗原再次免疫时,可引起比初次更强的抗体产生”属于()
    A

    免疫应答

    B

    免疫记忆

    C

    排异效应

    D

    免疫应答的过程

    E

    抗体的反馈调节


    正确答案: C
    解析: 暂无解析