对
错
第1题:
可控硅元件的正向阻断峰值电压就是元件所指的耐压值。
第2题:
三相可控硅整流电路中,每个可控硅承受的最大反向电压是二次()。
第3题:
可控硅具有反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小()V。
第4题:
晶闸管的正向阻断峰值电压,即在门极断开和正向阻断条件下,可以重复加于晶闸管的正向阻断峰值电压,其值低于转折电压。
第5题:
可控硅主要参数有:正向阻断峰值电压、()、()、控制极触发电压、维持电流等。
第6题:
晶闸管的主要参数有()。
第7题:
晶闸管的正向阻断峰值电压,即在控制极断开和正向阻断条件下的电压,可以重复加于晶闸管的正向峰值电压,其值低于转折电压。
第8题:
通常所说多少伏的可控硅,是指它的()是多少伏。
第9题:
70
80
90
100
第10题:
对
错
第11题:
对
错
第12题:
第13题:
可控硅的主要特性参数有:正向阻断峰值电压PFV,反向阻断峰值电压PRV,额定正向平均电流IF,维持电流IH,控制级触发电压Vg,电压上升率dV/dt,电流上升率di/dt,额定结温Tc等。
第14题:
当单相半波可控硅整流装置交流电源电压为220伏时,则应该选用()。
第15题:
晶闸管的正向阻断峰值电压,即在门即断开和正向阻断条件下,可以重复加于晶闸管的正向峰值电压,其值低于转折电压。
第16题:
当门极断开(Ig=0),元件处在额定结温时,正向重复峰值电压为正向不重复峰值电压()%。
第17题:
测定硅整流元件的正向压降平均值时,硅整流元件应在额定冷却条件下通过()。
第18题:
一般地,晶闸管反向阻断峰值电压比正向阻断峰值电压大得多。
第19题:
晶闸管的正向阻断峰值电压,即在控制极断开和正向阻断条件一的电压,可以重复加于晶闸管的正向峰值电压,其值低于转折电压。
第20题:
对
错
第21题:
对
错
第22题:
对
错
第23题:
对
错