晶闸管正向阻断峰值电压的数值,规定比正向转折电压小()。
第1题:
A.错误
B.正确
第2题:
允许重复加在晶闸管两端的电压为()。
第3题:
断开控制极后,能保证晶闸管不导通而允许重复加在阳极与阴极间的正向峰值电压,称为正向阻断峰值电压。
第4题:
晶闸管硬开通是在()情况下发生的。
第5题:
如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V,则该晶闸管的额定电压应为()。
第6题:
晶闸管的正向阻断峰值电压,即在门极断开和正向阻断条件下,可以重复加于晶闸管的正向阻断峰值电压,其值低于转折电压。
第7题:
通常选取晶闸管的正向阻断电压和反向峰值电压分别为电路中晶闸管实际承受的最大正向电压和最大反向电压的()倍。
第8题:
若晶闸管正向重复峰值电压为500V,反向重复峰值电压为700V,则该晶闸管的额定电压是700V。
第9题:
晶闸管的主要参数有()。
第10题:
晶闸管的正向阻断峰值电压,即在控制极断开和正向阻断条件下的电压,可以重复加于晶闸管的正向峰值电压,其值低于转折电压。
第11题:
通常所说多少伏的可控硅,是指它的()是多少伏。
第12题:
对
错
第13题:
晶闸管断态重复峰值电压(又称正向阻断峰值电压)的数值,规定比正向转折电压小()V。
第14题:
可控硅的主要特性参数有:正向阻断峰值电压PFV,反向阻断峰值电压PRV,额定正向平均电流IF,维持电流IH,控制级触发电压Vg,电压上升率dV/dt,电流上升率di/dt,额定结温Tc等。
第15题:
晶闸管的正向阻断峰值电压,即在门即断开和正向阻断条件下,可以重复加于晶闸管的正向峰值电压,其值低于转折电压。
第16题:
晶闸管的额定电压是指()。
第17题:
晶闸管具有正向阻断能力,即在未导通的情况下,加上正向阳极电压而控制极不加触发电压,晶闸管仍关断。
第18题:
若晶闸管的控制电流由大变小,则正向转折电压()。
第19题:
晶闸管的额定电压是在()中取较小的一个。
第20题:
晶闸管阳阴极间加上正向电压而控制极不加电压,此时晶闸管处于()状态。
第21题:
一般地,晶闸管反向阻断峰值电压比正向阻断峰值电压大得多。
第22题:
晶闸管的正向阻断峰值电压,即在控制极断开和正向阻断条件一的电压,可以重复加于晶闸管的正向峰值电压,其值低于转折电压。
第23题: