单选题MOS场效应管的英语缩写是（）。A “IGBT”B “BJT”C “GTO”D “MOSFET”
题目
“IGBT”
“BJT”
“GTO”
“MOSFET”
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第1题：
可关断晶闸管的英语缩写是（）。
- A、“IGBT”
- B、“BJT”
- C、“GTO”
- D、“MOSFET”
正确答案:C -
第2题：
功率开关器件可以说是开关电源的心脏，下面哪一种开关器件不是开关电源所采用的（）。
- A、MOSFET功率场效应管
- B、IGBT绝缘栅双极晶体管
- C、GTR晶闸管
- D、BJT双极型晶体管
正确答案:C -
第3题：
场效应管的类型有（）。
- A、结型场效应管
- B、绝缘栅型场效应管
- C、N沟道增强型MOS管
- D、P沟道增强型MOS管
- E、N沟道耗尽型MOS管
- F、P沟道耗尽型MOS管
正确答案:A,B -
第4题：
IGBT的主体部分与GTR类似，控制部分与场效应管类似，下面属于IGBT具有的优点的有（）
- A、电磁噪音很小
- B、电流波形大为改善，电机的转矩增大
- C、IGBT管二次击穿现象小
- D、最大管子容量比GTO管大的多
正确答案:A,B,C -
第5题：
绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是（）。
- A、“IGBT”
- B、“BJT”
- C、“GTO”
- D、“MOSFET”
正确答案:A -
第6题：
在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（），单管输出功率最大的是（），应用最为广泛的是（）。
正确答案:MOSFET；GTO；IGBT -
第7题：
双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTO。
正确答案:错误 -
第8题：
简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。
正确答案:门极可关断晶闸管GTO是晶闸管的一种派生器件，但可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。该器件电压、电流容量大，与普通晶闸管接近，在兆瓦级以上的大功率场合有较多应用。
电力晶体管GTR是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管，开关特性好，在中、小功率范围内广泛使用。
场效应管MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，所需驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但电流容量小，耐压低，一般用于功率不超过10kw的系统。
绝缘栅双极晶体管IGBT综合了GTR和MOSFET的优点，具有良好的特性。已取代了GTR和一部分MOSFET的市场，成为中小功率系统的主导器件，并正在提高电压、电流容量，将取代GTO的地位。 -
第9题：
填空题在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（），单管输出功率最大的是（），应用最为广泛的是（）。正确答案： MOSFET,GTO,IGBT解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？正确答案： IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗，关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。
GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
电力MOSFET驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。正确答案： Power MOSFET为单极性器件，没有少数载流子存贮效应，反向恢复时间很短。解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。正确答案： 门极可关断晶闸管GTO是晶闸管的一种派生器件，但可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。该器件电压、电流容量大，与普通晶闸管接近，在兆瓦级以上的大功率场合有较多应用。
电力晶体管GTR是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管，开关特性好，在中、小功率范围内广泛使用。
场效应管MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，所需驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但电流容量小，耐压低，一般用于功率不超过10kw的系统。
绝缘栅双极晶体管IGBT综合了GTR和MOSFET的优点，具有良好的特性。已取代了GTR和一部分MOSFET的市场，成为中小功率系统的主导器件，并正在提高电压、电流容量，将取代GTO的地位。解析： 暂无解析 -
第13题：
IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（）电力电子器件。
- A、结构复杂
- B、复合
- C、全控型
- D、电压驱动式
正确答案:B,C,D -
第14题：
已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力（）晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等
正确答案:场效应 -
第15题：
IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
正确答案: IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗，关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。
GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
电力MOSFET驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。 -
第16题：
说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。
正确答案:绝缘栅双极晶体管IGBT：
（1）优点：开关速度快、开关损耗低、通态压降低、输入阻抗高、驱动功率小。
（2）缺点：开关速度低于电力效应晶体管、电压、电流容量不及GTO。
电力晶体管GTR：
（1）优点：开关特性好、饱和压降低、通流能力强、耐压高。
（2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、存在二次击穿问题。
门极可关断晶闸管GTO：
（1）优点：通流能力强、电流、电压容量大、具有电导调制效应。
（2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、开关频率低。
电力场效应管MOSFET：
（1）优点：开关速度快、输入阻抗高、驱动功率小、驱动电路简单、热稳定性好。
（2）缺点：电流容量小、耐压低。 -
第17题：
MOS场效应管的英语缩写是（）。
- A、“IGBT”
- B、“BJT”
- C、“GTO”
- D、“MOSFET”
正确答案:D -
第18题：
IGBT是一个复合型的器件，它是（）。
- A、GTR驱动的MOSFET
- B、MOSFET驱动的GTR
- C、MOSFET驱动的晶闸管
- D、MOSFET驱动的GTO
正确答案:B -
第19题：
试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。
正确答案:Power MOSFET为单极性器件，没有少数载流子存贮效应，反向恢复时间很短。 -
第20题：
在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有（），全控型器件有（），电流驱动器件有（）。
正确答案:SCR；GTO、GTR、MOSFET、IGBT；SCR、GTO、GTR -
第21题：
单选题可关断晶闸管的英语缩写是（）。A“IGBT”
B“BJT”
C“GTO”
D“MOSFET”
正确答案： B解析： 暂无解析 -
第22题：
单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。AGTO和GTR；
BTRIAC和IGBT；
CMOSFET和IGBT；
DSCR和MOSFET；
正确答案： B解析： 暂无解析 -
第23题：
单选题绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是（）。A“IGBT”
B“BJT”
C“GTO”
D“MOSFET”
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第24题：
单选题MOS场效应管的英语缩写是（）。A“IGBT”
B“BJT”
C“GTO”
D“MOSFET”
正确答案： C解析： 暂无解析