填空题锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。

题目
填空题
锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
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1.二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。

2.二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7

3.二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。A、为零B、硅管0.7V，锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变

4.硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。

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  • 第1题：

    二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3Ｖ，锗管0.5-0.7Ｖ。


    正确答案:错误

  • 第2题：

    对于晶体二极管，下列说法不正确的是：（）

    • A、正向电阻很小
    • B、反向电阻很大
    • C、正向电压大于死区电压时才能导通
    • D、反向电压多大都不会导通

    正确答案:D

  • 第3题：

    硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。（）


    正确答案:正确

  • 第4题：

    晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。


    正确答案:0.6～0.7；0.2～0.3；0.5；0.1

  • 第5题：

    在常温下，硅二极管的开启电压是（）V，导通后在较大电流下时正向压降约（）V。


    正确答案:0.7；0.3

  • 第6题：

    从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。

    • A、0
    • B、死区电压
    • C、反向击穿电压
    • D、正向压降

    正确答案:B

  • 第7题：

    二极管两端加上正向电压时（）

    • A、一定导通
    • B、超过死区电压才能导通
    • C、超过0.7伏才导通
    • D、超过0.3伏才导通

    正确答案:B

  • 第8题：

    二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。


    正确答案:0.7V；0.3 V

  • 第9题：

    当二极管正向偏置电压小于死区电压时二极管才能导通。


    正确答案:错误

  • 第10题：

    锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。


    正确答案:0.2V；0.1V

  • 第11题：

    当加在二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管（）。

    • A、超过死区电压时才开始导通
    • B、到0.3才开始导通
    • C、立即导通

    正确答案:A

  • 第12题：

    填空题
    常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。

    正确答案： 0.6（或0.7）,0.2（或0.3）
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）


    正确答案:0.6～0.8V；0.2～0.4V

  • 第14题：

    实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取（），锗管一般为（）。


    正确答案:0.7V；0.2V

  • 第15题：

    常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。


    正确答案:0.6（或0.7）；0.2（或0.3）

  • 第16题：

    二极管两端加上正向电压时（）

    • A、一定导通
    • B、超过死区电压才导通
    • C、超过0.7V才导通
    • D、超过0.3V才导通

    正确答案:B

  • 第17题：

    在常温下，硅二极管的开启电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。


    正确答案:0.5V；0.7V

  • 第18题：

    在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。


    正确答案:0.5V；0.7V；0.1V；0.2V

  • 第19题：

    硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）


    正确答案:大

  • 第20题：

    在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。


    正确答案:0.5V；0.7V；0.1V；0.2V

  • 第21题：

    普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。


    正确答案:0.6~0.8；0.7；0.2~0.3；0.2；1~2.5

  • 第22题：

    试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低，且在稳态导通时其管压降不随电流的大小而变化。


    正确答案:若流过PN结的电流较小，二极管的电阻主要是低掺杂N-区的欧姆电阻，阻值较高且为常数，因而其管压降随正向电流的上升而增加；当流过PN结的电流较大时，注入并积累在低掺杂N-区的少子空穴浓度将增大，为了维持半导体电中性条件，其多子浓度也相应大幅度增加，导致其电阻率明显下降，即电导率大大增加，该现象称为电导调制效应。

  • 第23题：

    单选题
    对于二极管来说，以下说法错误的是（）。
    A

    正向电阻很小

    B

    反向电阻很大

    C

    无论加多大的反向电压，都不会导通

    D

    所加正向电压大于死区电压时，二极管才真正导通


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

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